FREGOLENT, MANUEL
FREGOLENT, MANUEL
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Deep-Level Effects in Back-Barrier-Scaled GaN HEMTs
2026 De Pieri, F.; Carlotto, A.; Fregolent, M.; Cavaliere, A.; Saro, M.; Rampazzo, F.; De Santi, C.; Zhan, V. G.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.
Experimental Evidence of Sustainable Avalanche Operation in E-Mode GaN HEMTs
2026 Fraccaroli, R.; Dell'Andrea, M.; Fregolent, M.; Boito, M.; Longato, S. L.; De Santi, C.; Rossetto, I.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Miccoli, C.; Russo, A.; Castagna, M. E.; Iucolano, F.; Meneghini, M.
Quantitative modeling of threshold instability in β-Ga2O3 finFETs through electro-optical investigation
2026 Fregolent, M.; Piva, F.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Li, W.; Nomoto, K.; Hu, Z.; Jena, D.; Xing, H. G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
A Schottky gate p-GaN fin-channel field effect transistor on very low-doped p-GaN films
2025 Fregolent, Manuel; Singh, Simranjit; Lu, Shun; Watanabe, Hirotaka; Wang, Jia; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo; Honda, Yoshio; Amano, Hiroshi; Sarkar, Biplab
Enhanced Gate Reliability of p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs Due to Gate Hole Injection and Recombination
2025 Fregolent, Manuel; De Santi, Carlo; Boito, Mirco; Disarò, Michele; Pirani, Alessio; Eloisa Castagna, Maria; Miccoli, Cristina; Pizzo, Giansalvo; Rossetto, Isabella; Cerati, Lorenzo; Iucolano, Ferdinando; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Evidence for double degradation regime in off-state stressed 100 V GaN transistors: From dielectric failure to subthreshold current increase
2025 Fraccaroli, R.; Fregolent, M.; Boito, M.; De Santi, C.; Canato, E.; Rossetto, I.; Castagna, M. E.; Miccoli, C.; Russo, A.; Iucolano, F.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
OFF-state breakdown and threshold voltage stability of vertical GaN-on-Si trench MOSFETs
2025 Fregolent, M.; Bergamin, F.; Favero, D.; De Santi, C.; Cester, A.; Huber, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Self-Induced Photoionization of Traps in Buffer-Free AlGaN/GaN HEMTs
2025 De Pieri, F.; Fornasier, M.; Gao, Z.; Fregolent, M.; De Santi, C.; Rampazzo, F.; Putcha, V.; Riet, E. V. D.; Hartskeerl, D.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.
Study of trapping mechanisms affecting AlGaN/GaN HEMTs adopting AlGaN back-barriers with different aluminum concentrations
2025 Carlotto, Andrea; Rampazzo, Fabiana; Saro, Marco; De Pieri, Francesco; Fregolent, Manuel; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico
Systematic analysis of the trapping and reliability of Al2O3/GaN MOS capacitors with different atomic layer deposition techniques
2025 Fregolent, Manuel; Tomasi, Marco; De Santi, Carlo; Buffolo, Matteo; Tadmor, Liad; Brusaterra, Enrico; Treidel, Eldad Bahat; Cester, Andrea; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Understanding the Ga Polar n-GaN Surface after Mg Diffusion Process
2025 Singh, S.; Wang, J.; Watanabe, H.; Fregolent, M.; De Santi, C.; Meneghini, M.; Badami, O.; Asubar, J. T.; Amano, H.; Sarkar, B.
Advanced defect spectroscopy in wide-bandgap semiconductors: review and recent results
2024 Fregolent, Manuel; Piva, Francesco; Buffolo, Matteo; Santi, Carlo De; Cester, Andrea; Higashiwaki, Masataka; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Experimental and Numerical Analysis of OFFState Bias Induced Instabilities in Vertical GaNon-Si Trench MOSFETs
2024 Zagni, Nicolò; Fregolent, Manuel; Verzellesi, Giovanni; Bergamin, Francesco; Favero, Davide; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Huber, Christian; Meneghini, Matteo; Pavan, Paolo
Negative Activation Energy of Gate Reliability in Schottky-Gate p-GaN HEMTs: Combined Gate Leakage Current Modeling and Spectral Electroluminescence Investigation
2024 Fregolent, Manuel; Boito, Mirco; Disarò, Michele; De Santi, Carlo; Buffolo, Matteo; Canato, Eleonora; Gallo, Michele; Miccoli, Cristina; Rossetto, Isabella; Pizzo, Giansalvo; Russo, Alfio; Iucolano, Ferdinando; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Physical insights into trapping effects on vertical GaN-on-Si trench MOSFETs from TCAD
2024 Zagni, Nicolò; Fregolent, Manuel; Fiol, Andrea Del; Favero, Davide; Bergamin, Francesco; Verzellesi, Giovanni; Santi, Carlo De; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Huber, Christian; Meneghini, Matteo; Pavan, Paolo
Correlating Interface and Border Traps With Distinctive Features of C–V Curves in Vertical Al2O3/GaN MOS Capacitors
2023 Zagni, Nicolò; Fregolent, Manuel; Verzellesi, Giovanni; Marcuzzi, Alberto; Santi, Carlo De; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Treidel, Eldad Bahat; Brusaterra, Enrico; Brunner, Frank; Hilt, Oliver; Meneghini, Matteo; Pavan, Paolo
Gate leakage modeling in lateral β-Ga2O3 MOSFETs with Al2O3 gate dielectric
2023 Fregolent, Manuel; Brusaterra, Enrico; De Santi, Carlo; Tetzner, Kornelius; Würfl, Joachim; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Modeling the electrical degradation of AlGaN-based UV-C LEDs by combined deep-level optical spectroscopy and TCAD simulations
2023 Roccato, N.; Piva, F.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Fregolent, M.; Pilati, M.; Susilo, N.; Vidal, D. H.; Muhin, A.; Sulmoni, L.; Wernicke, T.; Kneissl, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Threshold voltage instability in SiO2-gate semi-vertical GaN trench MOSFETs grown on silicon substrate
2023 Fregolent, M.; Del Fiol, A.; De Santi, C.; Huber, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Capture and emission time map to investigate the positive VTH shift in p-GaN power HEMTs
2022 Modolo, N.; Fregolent, M.; Masin, F.; Benato, A.; Bettini, A.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Borga, M.; Posthuma, N.; Bakeroot, B.; Decoutere, S.; Vogrig, D.; Neviani, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.