FREGOLENT, MANUEL
FREGOLENT, MANUEL
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Deep-Level Effects in Back-Barrier-Scaled GaN HEMTs
2026 De Pieri, F.; Carlotto, A.; Fregolent, M.; Cavaliere, A.; Saro, M.; Rampazzo, F.; De Santi, C.; Zhan, V. G.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.
Experimental Evidence of Sustainable Avalanche Operation in E-Mode GaN HEMTs
2026 Fraccaroli, R.; Dell'Andrea, M.; Fregolent, M.; Boito, M.; Longato, S. L.; De Santi, C.; Rossetto, I.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Miccoli, C.; Russo, A.; Castagna, M. E.; Iucolano, F.; Meneghini, M.
Quantitative modeling of threshold instability in β-Ga2O3 finFETs through electro-optical investigation
2026 Fregolent, M.; Piva, F.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Li, W.; Nomoto, K.; Hu, Z.; Jena, D.; Xing, H. G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
A Schottky gate p-GaN fin-channel field effect transistor on very low-doped p-GaN films
2025 Fregolent, Manuel; Singh, Simranjit; Lu, Shun; Watanabe, Hirotaka; Wang, Jia; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo; Honda, Yoshio; Amano, Hiroshi; Sarkar, Biplab
Analysis of OFF-state Threshold Voltage Instability on Vertical GaN-on-Si Trench MOSFETs
2025 Fregolent, M.; Bergamin, F.; Favero, D.; De Santi, C.; Cester, Andrea; Huber, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Comprehensive Analysis of Deep level Effects and in-situ Photoionization in 0.15 $\mu \mathrm{m}$ buffer-free AIGaN/GaN HEMTs for RF applications
2025 Pieri, Francesco De; Fregolent, Manuel; Saro, Marco; Carlotto, Andrea; Boito, Mirco; Santi, Carlo De; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico
Deep Level Effects and Hot-Electron Reliability in Scaled GaN HEMTs
2025 Zanoni, Enrico; Carlotto, Andrea; De Pieri, Francesco; Fregolent, Manuel; Saro, Marco; Rampazzo, Fabiana; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo
Development of p-channel GaN FETs on extremely-low doped p-GaN with Mg-diffused Ohmic contacts
2025 Fregolent, Manuel; Sarkar, Biplab; Lu, Shun; Wang, Jia; Watanabe, Hirotaka; Woong, Kwon; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Honda, Yoshio; Amano, Hiroshi; Meneghini, Matteo
Enhanced Gate Reliability of p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs Due to Gate Hole Injection and Recombination
2025 Fregolent, Manuel; De Santi, Carlo; Boito, Mirco; Disarò, Michele; Pirani, Alessio; Eloisa Castagna, Maria; Miccoli, Cristina; Pizzo, Giansalvo; Rossetto, Isabella; Cerati, Lorenzo; Iucolano, Ferdinando; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Evidence for Avalanche and its Role in Lateral and Vertical Gallium Nitride Devices
2025 De Santi, C.; Fraccaroli, R.; Fregolent, M.; Dell’Andrea, M.; Rossetto, I.; Boito, M.; Canato, E.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Miccoli, C.; Russo, A.; Castagna, M. E.; Cerati, L.; Iucolano, F.; Buffolo, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Evidence for Avalanche Operation in Sub-Micrometer Power GaN HEMTs with p-GaN Gate
2025 Fraccaroli, Riccardo; Dell'Andrea, Matteo; Fregolent, Manuel; Boito, Mirco; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Canato, Eleonora; Zanoni, Enrico; Rossetto, Isabella; Pirani, Alessio; Pizzo, Giansalvo; Miccoli, Cristina; Russo, Alfio; Castagna, Maria Eloisa; Iucolano, Ferdinando; Meneghini, Matteo
Evidence for double degradation regime in off-state stressed 100 V GaN transistors: From dielectric failure to subthreshold current increase
2025 Fraccaroli, R.; Fregolent, M.; Boito, M.; De Santi, C.; Canato, E.; Rossetto, I.; Castagna, M. E.; Miccoli, C.; Russo, A.; Iucolano, F.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Experimental Demonstration of Avalanche operation in lateral normally-off 100 V GaN HEMTs
2025 Fraccaroli, Riccardo; Dell’Andrea, Matteo; Fregolent, Manuel; Boito, Mirco; Rossetto, Isabella; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Canato, Eleonora; Pirani, Alessio; Pizzo, Giansalvo; Miccoli, Cristina; Russo, Alfio; Eloisa Castagna, Maria; Iucolano, Ferdinando; Meneghini, Matteo
GaN Devices: Technology, Reliability-Limiting Processes and ESD Failures
2025 Meneghini, M.; Longato, S.; Fregolent, M.; Fraccaroli, R.; Rossetto, I.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Identification of Boron-related traps via Capacitance Spectroscopy in Diamond Schottky diodes
2025 Biasin, Giacomo; Fregolent, Manuel; Buffolo, Matteo; De Santi, Carlo; Bassaler, Julien; Maurya, Vishwajeet; Letellier, Juliette; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Verzellesi, Giovanni; Chini, Alessandro; Meneghini, Matteo
Modeling the Changes in the Electrical Properties of Vertical GaN-on-GaN pin Diodes Under Electrical Stress
2025 Longato, S.; Vianello, A.; Fregolent, M.; Wang, D.; Fu, H.; Luo, S.; Zhao, Y.; Buffolo, M.; Rossetto, I.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
OFF-state breakdown and threshold voltage stability of vertical GaN-on-Si trench MOSFETs
2025 Fregolent, M.; Bergamin, F.; Favero, D.; De Santi, C.; Cester, A.; Huber, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Self-Induced Photoionization of Traps in Buffer-Free AlGaN/GaN HEMTs
2025 De Pieri, F.; Fornasier, M.; Gao, Z.; Fregolent, M.; De Santi, C.; Rampazzo, F.; Putcha, V.; Riet, E. V. D.; Hartskeerl, D.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.
Study of trapping mechanisms affecting AlGaN/GaN HEMTs adopting AlGaN back-barriers with different aluminum concentrations
2025 Carlotto, Andrea; Rampazzo, Fabiana; Saro, Marco; De Pieri, Francesco; Fregolent, Manuel; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico
Systematic analysis of the trapping and reliability of Al2O3/GaN MOS capacitors with different atomic layer deposition techniques
2025 Fregolent, Manuel; Tomasi, Marco; De Santi, Carlo; Buffolo, Matteo; Tadmor, Liad; Brusaterra, Enrico; Treidel, Eldad Bahat; Cester, Andrea; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo