FREGOLENT, MANUEL
FREGOLENT, MANUEL
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Evidence for double degradation regime in off-state stressed 100 V GaN transistors: From dielectric failure to subthreshold current increase
2025 Fraccaroli, R.; Fregolent, M.; Boito, M.; De Santi, C.; Canato, E.; Rossetto, I.; Castagna, M. E.; Miccoli, C.; Russo, A.; Iucolano, F.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
OFF-state breakdown and threshold voltage stability of vertical GaN-on-Si trench MOSFETs
2025 Fregolent, M.; Bergamin, F.; Favero, D.; De Santi, C.; Cester, A.; Huber, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Self-Induced Photoionization of Traps in Buffer-Free AlGaN/GaN HEMTs
2025 De Pieri, F.; Fornasier, M.; Gao, Z.; Fregolent, M.; De Santi, C.; Rampazzo, F.; Putcha, V.; Riet, E. V. D.; Hartskeerl, D.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.
Advanced defect spectroscopy in wide-bandgap semiconductors: review and recent results
2024 Fregolent, Manuel; Piva, Francesco; Buffolo, Matteo; Santi, Carlo De; Cester, Andrea; Higashiwaki, Masataka; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Experimental and Numerical Analysis of OFFState Bias Induced Instabilities in Vertical GaNon-Si Trench MOSFETs
2024 Zagni, Nicolò; Fregolent, Manuel; Verzellesi, Giovanni; Bergamin, Francesco; Favero, Davide; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Huber, Christian; Meneghini, Matteo; Pavan, Paolo
Gallium Oxide and Gallium Nitride-based devices for high-power applications: characterization, reliability, and modelling
2024 Fregolent, Manuel
Investigation of Threshold Voltage Instability in GaN-on-Si Trench MOSFETs with SiO2 Gate Dielectric
2024 Fregolent, M.; Del Fiol, A.; De Santi, C.; Huber, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Investigation of Wafer-Level Dynamic Properties of p-GaN HEMTs in Hard Switching Conditions
2024 Boito, M.; Fregolent, M.; De Santi, C.; Abbisogni, A.; Smerzi, S.; Rossetto, I.; Iucolano, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Modeling of the gate leakage in MOSFETs with Al2O3/β-Ga2O3 gate stack
2024 De Santi, Carlo; Fregolent, Manuel; Brusaterra, Enrico; Tetzner, Kornelius; Würfl, Joachim; Buffolo, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Negative Activation Energy of Gate Reliability in Schottky-Gate p-GaN HEMTs: Combined Gate Leakage Current Modeling and Spectral Electroluminescence Investigation
2024 Fregolent, Manuel; Boito, Mirco; Disarò, Michele; De Santi, Carlo; Buffolo, Matteo; Canato, Eleonora; Gallo, Michele; Miccoli, Cristina; Rossetto, Isabella; Pizzo, Giansalvo; Russo, Alfio; Iucolano, Ferdinando; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
On-Wafer Dynamic Operation of Power GaN-HEMTs: Degradation Processes Investigated by a Novel Experimental Approach
2024 Boito, M.; Fregolent, M.; De Santi, C.; Abbisogni, A.; Smerzi, S.; Rossetto, I.; Iucolano, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Physical insights into trapping effects on vertical GaN-on-Si trench MOSFETs from TCAD
2024 Zagni, Nicolò; Fregolent, Manuel; Fiol, Andrea Del; Favero, Davide; Bergamin, Francesco; Verzellesi, Giovanni; Santi, Carlo De; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Huber, Christian; Meneghini, Matteo; Pavan, Paolo
Threshold Voltage Instability in Vertical β-Ga2O3 finFETs Investigated by Combined Electrical and Optical Techniques
2024 Fregolent, M.; De Santi, C.; Piva, F.; Li, W.; Nomoto, K.; Hu, Z.; Jena, D.; Xing, H. G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Trapping and Reliability Properties of Al2O3 Gate Dielectrics Obtained with Stacked ALD Deposition
2024 Fregolent, Manuel; Tomasi, Marco; DE SANTI, Carlo; Buffolo, Matteo; Tadmor, Liad; Brusaterra, Enrico; Bahat Treidel, Eldad; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Vertical GaN Devices: Reliability Challenges and Lessons Learned from Si and SiC
2024 Meneghini, M.; Fregolent, M.; Zagni, N.; Hamadoui, Y.; Marcuzzi, A.; Favero, D.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Tomasi, M.; Zappala, G.; Bahat-Treidel, E.; Brusaterra, E.; Brunner, F.; Hilt, O.; Huber, C.; Medjdoub, F.; Meneghesso, G.; Verzellesi, G.; Pavan, P.; Zanoni, E.
Correlating Interface and Border Traps With Distinctive Features of C–V Curves in Vertical Al2O3/GaN MOS Capacitors
2023 Zagni, Nicolò; Fregolent, Manuel; Verzellesi, Giovanni; Marcuzzi, Alberto; Santi, Carlo De; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Treidel, Eldad Bahat; Brusaterra, Enrico; Brunner, Frank; Hilt, Oliver; Meneghini, Matteo; Pavan, Paolo
GaN Vertical Devices: challenges for high performance and stability
2023 Meneghini, Matteo; Fregolent, Manuel; Zagni, Nicolò; DE SANTI, Carlo; Bahat Treidel, Eldad; Brusaterra, Enrico; Brunner, Frank; Hilt, Oliver; Christianhuber, ; Buffolo, Matteo; Marcuzzi, Alberto; Favero, Davide; Del Fiol, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Pavan, Paolo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Gate leakage modeling in lateral β-Ga2O3 MOSFETs with Al2O3 gate dielectric
2023 Fregolent, Manuel; Brusaterra, Enrico; De Santi, Carlo; Tetzner, Kornelius; Würfl, Joachim; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Modeling the electrical degradation of AlGaN-based UV-C LEDs by combined deep-level optical spectroscopy and TCAD simulations
2023 Roccato, N.; Piva, F.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Fregolent, M.; Pilati, M.; Susilo, N.; Vidal, D. H.; Muhin, A.; Sulmoni, L.; Wernicke, T.; Kneissl, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Novel models for the analysis of the dynamic performance of wide bandgap devices
2023 DE SANTI, Carlo; Fregolent, Manuel; Modolo, Nicola; Buffolo, Matteo; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo