FREGOLENT, MANUEL
FREGOLENT, MANUEL
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Comprehensive Analysis of Deep level Effects and in-situ Photoionization in 0.15 $\mu \mathrm{m}$ buffer-free AIGaN/GaN HEMTs for RF applications
2025 Pieri, Francesco De; Fregolent, Manuel; Saro, Marco; Carlotto, Andrea; Boito, Mirco; Santi, Carlo De; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico
Deep Level Effects and Hot-Electron Reliability in Scaled GaN HEMTs
2025 Zanoni, Enrico; Carlotto, Andrea; De Pieri, Francesco; Fregolent, Manuel; Saro, Marco; Rampazzo, Fabiana; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo
Enhanced Gate Reliability of p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs Due to Gate Hole Injection and Recombination
2025 Fregolent, Manuel; De Santi, Carlo; Boito, Mirco; Disarò, Michele; Pirani, Alessio; Eloisa Castagna, Maria; Miccoli, Cristina; Pizzo, Giansalvo; Rossetto, Isabella; Cerati, Lorenzo; Iucolano, Ferdinando; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Evidence for Avalanche Operation in Sub-Micrometer Power GaN HEMTs with p-GaN Gate
2025 Fraccaroli, Riccardo; Dell'Andrea, Matteo; Fregolent, Manuel; Boito, Mirco; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Canato, Eleonora; Zanoni, Enrico; Rossetto, Isabella; Pirani, Alessio; Pizzo, Giansalvo; Miccoli, Cristina; Russo, Alfio; Castagna, Maria Eloisa; Iucolano, Ferdinando; Meneghini, Matteo
Evidence for double degradation regime in off-state stressed 100 V GaN transistors: From dielectric failure to subthreshold current increase
2025 Fraccaroli, R.; Fregolent, M.; Boito, M.; De Santi, C.; Canato, E.; Rossetto, I.; Castagna, M. E.; Miccoli, C.; Russo, A.; Iucolano, F.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Identification of Boron-related traps via Capacitance Spectroscopy in Diamond Schottky diodes
2025 Biasin, Giacomo; Fregolent, Manuel; Buffolo, Matteo; De Santi, Carlo; Bassaler, Julien; Maurya, Vishwajeet; Letellier, Juliette; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Verzellesi, Giovanni; Chini, Alessandro; Meneghini, Matteo
OFF-state breakdown and threshold voltage stability of vertical GaN-on-Si trench MOSFETs
2025 Fregolent, M.; Bergamin, F.; Favero, D.; De Santi, C.; Cester, A.; Huber, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Self-Induced Photoionization of Traps in Buffer-Free AlGaN/GaN HEMTs
2025 De Pieri, F.; Fornasier, M.; Gao, Z.; Fregolent, M.; De Santi, C.; Rampazzo, F.; Putcha, V.; Riet, E. V. D.; Hartskeerl, D.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.
Study of trapping mechanisms affecting AlGaN/GaN HEMTs adopting AlGaN back-barriers with different aluminum concentrations
2025 Carlotto, Andrea; Rampazzo, Fabiana; Saro, Marco; De Pieri, Francesco; Fregolent, Manuel; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico
Systematic analysis of the trapping and reliability of Al2O3/GaN MOS capacitors with different atomic layer deposition techniques
2025 Fregolent, Manuel; Tomasi, Marco; De Santi, Carlo; Buffolo, Matteo; Tadmor, Liad; Brusaterra, Enrico; Treidel, Eldad Bahat; Cester, Andrea; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Advanced defect spectroscopy in wide-bandgap semiconductors: review and recent results
2024 Fregolent, Manuel; Piva, Francesco; Buffolo, Matteo; Santi, Carlo De; Cester, Andrea; Higashiwaki, Masataka; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Experimental and Numerical Analysis of OFFState Bias Induced Instabilities in Vertical GaNon-Si Trench MOSFETs
2024 Zagni, Nicolò; Fregolent, Manuel; Verzellesi, Giovanni; Bergamin, Francesco; Favero, Davide; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Huber, Christian; Meneghini, Matteo; Pavan, Paolo
Gallium Oxide and Gallium Nitride-based devices for high-power applications: characterization, reliability, and modelling
2024 Fregolent, Manuel
Investigation of Threshold Voltage Instability in GaN-on-Si Trench MOSFETs with SiO2 Gate Dielectric
2024 Fregolent, M.; Del Fiol, A.; De Santi, C.; Huber, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Investigation of Wafer-Level Dynamic Properties of p-GaN HEMTs in Hard Switching Conditions
2024 Boito, M.; Fregolent, M.; De Santi, C.; Abbisogni, A.; Smerzi, S.; Rossetto, I.; Iucolano, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Modeling of the gate leakage in MOSFETs with Al2O3/β-Ga2O3 gate stack
2024 De Santi, Carlo; Fregolent, Manuel; Brusaterra, Enrico; Tetzner, Kornelius; Würfl, Joachim; Buffolo, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Negative Activation Energy of Gate Reliability in Schottky-Gate p-GaN HEMTs: Combined Gate Leakage Current Modeling and Spectral Electroluminescence Investigation
2024 Fregolent, Manuel; Boito, Mirco; Disarò, Michele; De Santi, Carlo; Buffolo, Matteo; Canato, Eleonora; Gallo, Michele; Miccoli, Cristina; Rossetto, Isabella; Pizzo, Giansalvo; Russo, Alfio; Iucolano, Ferdinando; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
On-Wafer Dynamic Operation of Power GaN-HEMTs: Degradation Processes Investigated by a Novel Experimental Approach
2024 Boito, M.; Fregolent, M.; De Santi, C.; Abbisogni, A.; Smerzi, S.; Rossetto, I.; Iucolano, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Physical insights into trapping effects on vertical GaN-on-Si trench MOSFETs from TCAD
2024 Zagni, Nicolò; Fregolent, Manuel; Fiol, Andrea Del; Favero, Davide; Bergamin, Francesco; Verzellesi, Giovanni; Santi, Carlo De; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Huber, Christian; Meneghini, Matteo; Pavan, Paolo
Threshold Voltage Instability in Vertical β-Ga2O3 finFETs Investigated by Combined Electrical and Optical Techniques
2024 Fregolent, M.; De Santi, C.; Piva, F.; Li, W.; Nomoto, K.; Hu, Z.; Jena, D.; Xing, H. G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.