MODOLO, NICOLA
MODOLO, NICOLA
Università di Padova
A Generalized Approach to Determine the Switching Reliability of GaN HEMTs on-Wafer Level
2021 Modolo, N.; Minetto, A.; De Santi, C.; Sayadi, L.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
A novel on-wafer approach to test the stability of GaN-based devices in hard switching conditions: Study of hot-electron effects
2020 Modolo, N.; Meneghini, M.; Barbato, A.; Nardo, A.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Curatola, G.
A Novel Physics-Based Approach to Analyze and Model E-Mode p-GaN Power HEMTs
2020 Modolo, Nicola; Tang, Shun-Wei; Jiang, Hong-Jia; De Santi, Carlo; Meneghini, Matteo; Wu, Tian-Li
A Physics-Based Approach to Model Hot-Electron Trapping Kinetics in p-GaN HEMTs
2021 Modolo, N.; De Santi, C.; Minetto, A.; Sayadi, L.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Capture and emission time map to investigate the positive VTH shift in p-GaN power HEMTs
2022 Modolo, N.; Fregolent, M.; Masin, F.; Benato, A.; Bettini, A.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Borga, M.; Posthuma, N.; Bakeroot, B.; Decoutere, S.; Vogrig, D.; Neviani, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Charge trapping in GaN Power Transistors: Challenges and Perspectives
2021 Meneghini, M; Modolo, N; Nardo, A; De Santi, C; Minetto, A; Sayadi, L; Koller, C; Sicre, S; Prechtl, G; Meneghesso, G; Zanoni, E
Compact Modeling of Nonideal Trapping/Detrapping Processes in GaN Power Devices
2022 Modolo, N.; De Santi, C.; Baratella, G.; Bettini, A.; Borga, M.; Posthuma, N.; Bakeroot, B.; You, S.; Decoutere, S.; Bevilacqua, A.; Neviani, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Cumulative Hot-Electron Trapping in GaN-Based Power HEMTs Observed by an Ultra-Fast (10V/ns) on-Wafer Methodology
2021 Modolo, N.; De Santi, C.; Minetto, A.; Sayadi, L.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Deep level effects and degradation of 0.15 μm RF AlGaN/GaN HEMTs with Mono-layer and Bi-layer AlGaN backbarrier
2022 Gao, Z.; Chiocchetta, F.; De Santi, C.; Modolo, N.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Blanck, H.; Stieglauer, H.; Sommer, D.; Benoit, L.; Grunenputt, J.; Kordina, O.; Chen, J. -T.; Jacquet, J. -C.; Lacam, C.; Piotrowicz, S.
Deep levels effects and on-wafer reliability of 0.15 um InAlN/GaN and InAlGaN/GaN HEMTs with AlGaN backbarrier for RF applications
2022 Gao, Z.; Chiocchetta, F.; Fornasier, M.; Saro, M.; Stramare, E.; Tonello, A.; Sharma, C.; Modolo, N.; De Santi, C.; Rampazzo, F.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Jacquet, J-C.; Lacam, C.; Piotrowicz, S.; Oualli, M.; Michel, N.; Aroulanda, S.
Defect States Extraction from Stretched Exponential (de)trapping Response
2022 DE SANTI, Carlo; Modolo, Nicola; Minetto, Andrea; Sayadi, Luca; Prechtl, Gerhard; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Distributed Trap Levels and Hot-Electron Trapping in Power GaN HEMTs Characterization and Modeling
2023 Modolo, Nicola
Drain Field Plate Impact on the Hard-Switching Performance of AlGaN/GaN HEMTs
2021 Minetto, A.; Modolo, N.; Sayadi, L.; Koller, C.; Ostermaier, C.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Prechtl, G.; Sicre, S.; Deutschmann, B.; Haberlen, O.
Dynamic performance of wide bandgap devices
2022 De Santi, C.; Fregolent, M.; Modolo, N.; Nardo, A.; Buffolo, M.; Rampazzo, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Hot electron effects in AlGaN/GaN HEMTs during hard-switching events
2021 Minetto, A.; Modolo, N.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Sayadi, L.; Sicre, S.; Deutschmann, B.; Haberlen, O.
Hot-Electron Effects in AlGaN/GaN HEMTs under Semi-ON DC Stress
2020 Minetto, A.; Deutschmann, B.; Modolo, N.; Nardo, A.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Sayadi, L.; Prechtl, G.; Sicre, S.; Haberlen, O.
Hot-electron trapping and electric field redistribution in 0.15 µm RF AlGaN/GaN HEMT with single or double layer AlGaN backbarrier
2022 Chiocchetta, F.; Gao, Z.; Fornasier, M.; Modolo, N.; De Santi, C.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Impact of an AlGaN spike in the buffer in 0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs during step stress
2021 Gao, Z.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Modolo, N.; De Santi, C.; Blanck, H.; Stieglauer, H.; Sommer, D.; Grunenputt, J.; Kordina, O.; Chen, J. -T.; Jacquet, J. -C.; Lacam, C.; Piotrowicz, S.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Investigation of the degradations in power GaN-on-Si MIS-HEMTs subjected to cumulative γ-ray irradiation
2019 Sharma, C.; Modolo, N.; Chen, H. -H.; Tseng, Y. -Y.; Tang, S. -W.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Singh, R.; Wu, T. -L.
Modeling Hot-Electron Trapping in GaN-based HEMTs
2022 Modolo, N.; De Santi, C.; Minetto, A.; Sayadi, L.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.