MODOLO, NICOLA
MODOLO, NICOLA
Università di Padova
Positive VTH Shift in Schottky p-GaN Gate Power HEMTs: Dependence on Temperature, Bias and Gate Leakage
2024 Modolo, Nicola; De Santi, Carlo; Sicre, Sebastien; Minetto, Andrea; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Distributed Trap Levels and Hot-Electron Trapping in Power GaN HEMTs Characterization and Modeling
2023 Modolo, Nicola
Novel models for the analysis of the dynamic performance of wide bandgap devices
2023 DE SANTI, Carlo; Fregolent, Manuel; Modolo, Nicola; Buffolo, Matteo; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Physics-based trap analysis and compact modeling performance evaluation of AlGaN/GaN HEMTs
2023 DE SANTI, Carlo; Modolo, Nicola; Baratella, Giulio; Borga, Matteo; Posthuma, Niels; Bakeroot, Benoit; Decoutere, Stefaan; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Capture and emission time map to investigate the positive VTH shift in p-GaN power HEMTs
2022 Modolo, N.; Fregolent, M.; Masin, F.; Benato, A.; Bettini, A.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Borga, M.; Posthuma, N.; Bakeroot, B.; Decoutere, S.; Vogrig, D.; Neviani, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Compact Modeling of Nonideal Trapping/Detrapping Processes in GaN Power Devices
2022 Modolo, N.; De Santi, C.; Baratella, G.; Bettini, A.; Borga, M.; Posthuma, N.; Bakeroot, B.; You, S.; Decoutere, S.; Bevilacqua, A.; Neviani, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Deep level effects and degradation of 0.15 μm RF AlGaN/GaN HEMTs with Mono-layer and Bi-layer AlGaN backbarrier
2022 Gao, Z.; Chiocchetta, F.; De Santi, C.; Modolo, N.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Blanck, H.; Stieglauer, H.; Sommer, D.; Benoit, L.; Grunenputt, J.; Kordina, O.; Chen, J. -T.; Jacquet, J. -C.; Lacam, C.; Piotrowicz, S.
Deep levels effects and on-wafer reliability of 0.15 um InAlN/GaN and InAlGaN/GaN HEMTs with AlGaN backbarrier for RF applications
2022 Gao, Z.; Chiocchetta, F.; Fornasier, M.; Saro, M.; Stramare, E.; Tonello, A.; Sharma, C.; Modolo, N.; De Santi, C.; Rampazzo, F.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Jacquet, J-C.; Lacam, C.; Piotrowicz, S.; Oualli, M.; Michel, N.; Aroulanda, S.
Defect States Extraction from Stretched Exponential (de)trapping Response
2022 DE SANTI, Carlo; Modolo, Nicola; Minetto, Andrea; Sayadi, Luca; Prechtl, Gerhard; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Dynamic performance of wide bandgap devices
2022 De Santi, C.; Fregolent, M.; Modolo, N.; Nardo, A.; Buffolo, M.; Rampazzo, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Hot-electron trapping and electric field redistribution in 0.15 µm RF AlGaN/GaN HEMT with single or double layer AlGaN backbarrier
2022 Chiocchetta, F.; Gao, Z.; Fornasier, M.; Modolo, N.; De Santi, C.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Modeling Hot-Electron Trapping in GaN-based HEMTs
2022 Modolo, N.; De Santi, C.; Minetto, A.; Sayadi, L.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Physics-based extraction of trap distribution in AlGaN/GaN HEMTs from stretched exponentials
2022 DE SANTI, Carlo; Modolo, Nicola; Minetto, Andrea; Sayadi, Luca; Prechtl, Gerhard; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Trap parameter extraction and compact modeling of non-ideal dynamic performance in AlGaN/GaN HEMTs
2022 DE SANTI, Carlo; Modolo, Nicola; Baratella, Giulio; Borga, Matteo; Posthuma, Niels; Bakeroot, Benoit; You, Shuzhen; Decoutere, Stefaan; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Trap-state mapping to model GaN transistors dynamic performance
2022 Modolo, Nicola; De Santi, Carlo; Minetto, Andrea; Sayadi, Luca; Prechtl, Gerhard; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
A Generalized Approach to Determine the Switching Reliability of GaN HEMTs on-Wafer Level
2021 Modolo, N.; Minetto, A.; De Santi, C.; Sayadi, L.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
A Physics-Based Approach to Model Hot-Electron Trapping Kinetics in p-GaN HEMTs
2021 Modolo, N.; De Santi, C.; Minetto, A.; Sayadi, L.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Charge trapping in GaN Power Transistors: Challenges and Perspectives
2021 Meneghini, M; Modolo, N; Nardo, A; De Santi, C; Minetto, A; Sayadi, L; Koller, C; Sicre, S; Prechtl, G; Meneghesso, G; Zanoni, E
Cumulative Hot-Electron Trapping in GaN-Based Power HEMTs Observed by an Ultra-Fast (10V/ns) on-Wafer Methodology
2021 Modolo, N.; De Santi, C.; Minetto, A.; Sayadi, L.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Drain Field Plate Impact on the Hard-Switching Performance of AlGaN/GaN HEMTs
2021 Minetto, A.; Modolo, N.; Sayadi, L.; Koller, C.; Ostermaier, C.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Prechtl, G.; Sicre, S.; Deutschmann, B.; Haberlen, O.