Experimental and Numerical Analysis of OFFState Bias Induced Instabilities in Vertical GaNon-Si Trench MOSFETs
Fregolent, Manuel;Favero, Davide;De Santi, Carlo;Meneghesso, Gaudenzio;Zanoni, Enrico;Meneghini, Matteo;
2024
File in questo prodotto:
File | Dimensione | Formato | |
---|---|---|---|
Experimental_and_Numerical_Analysis_of_Off-State_Bias_Induced_Instabilities_in_Vertical_GaN-on-Si_Trench_MOSFETs.pdf
accesso aperto
Tipologia:
Published (publisher's version)
Licenza:
Creative commons
Dimensione
1.82 MB
Formato
Adobe PDF
|
1.82 MB | Adobe PDF | Visualizza/Apri |
Pubblicazioni consigliate
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.