FREGOLENT, MANUEL
FREGOLENT, MANUEL
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Deep-Level Effects in Back-Barrier-Scaled GaN HEMTs
2026 De Pieri, F.; Carlotto, A.; Fregolent, M.; Cavaliere, A.; Saro, M.; Rampazzo, F.; De Santi, C.; Zhan, V. G.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.
ESD Robustness of Sub-Micrometer GaN Power HEMTs: Dependence on Device and Process Parameters
2026 Longato, S. L.; De Santi, C.; Rossetto, I.; Fraccaroli, R.; Fregolent, M.; Di Biccari, L.; Cerati, L.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Experimental Evidence of Sustainable Avalanche Operation in E-Mode GaN HEMTs
2026 Fraccaroli, R.; Dell'Andrea, M.; Fregolent, M.; Boito, M.; Longato, S. L.; De Santi, C.; Rossetto, I.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Miccoli, C.; Russo, A.; Castagna, M. E.; Iucolano, F.; Meneghini, M.
Hot-Electron Degradation under Switching Accelerated Lifetime Testing (SALT) of 650 v E-Mode GaN HEMTs: A Novel Experimental Approach
2026 Dell'Andrea, M.; Boito, M.; Fregolent, M.; Fraccaroli, R.; Rossetto, I.; De Santi, C.; Abbisogni, A.; Giuffrida, M.; Ruvolo, M.; Castagna, M. E.; Iucolano, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Identification of boron-related traps via capacitance spectroscopy in diamond Schottky diodes
2026 Biasin, G.; Fregolent, M.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Bassaler, J.; Maurya, V.; Letellier, J.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Verzellesi, G.; Chini, A.; Meneghini, M.
Methodology for Extrapolating the Lifetime of GaN HEMTs with p-GaN Gate
2026 Fraccaroli, R.; Fregolent, M.; Dell'Andrea, M.; Rossetto, I.; De Santi, C.; Pirani, A.; Millefanti, A.; Pizzo, G.; Fezzi, V.; Castagna, M. E.; Miccoli, C.; Iucolano, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Modeling the Changes in the Current-Voltage Characteristics of Vertical GaN-on-GaN p-i-n Diodes Under Electrical Stress
2026 Vianello, A. M.; Longato, S. L.; Fregolent, M.; Rampazzo, F.; Buffolo, M.; Wang, D.; Da, B.; Fu, H.; Luo, S.; Chang, C.; Zhao, Y.; Rossetto, I.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Origin of Deep Levels Responsible for Transconductance Overshoot in AlGaN/GaN HEMTs and Impact in Real-Life Operating Conditions
2026 Carlotto, A.; De Pieri, F.; Rossetto, I.; De Santi, C.; Fregolent, M.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
P-Channel GaN FETs on Low-Doped Layers Enabled by Thermal Mg-Diffusion Process: Demonstration and Characterization
2026 Fregolent, M.; Sarkar, B.; Lu, S.; Wang, J.; Watanabe, H.; Woong, K.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Honda, Y.; Amano, H.; Meneghini, M.
Quantitative modeling of threshold instability in β-Ga2O3 finFETs through electro-optical investigation
2026 Fregolent, M.; Piva, F.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Li, W.; Nomoto, K.; Hu, Z.; Jena, D.; Xing, H. G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Study of Heavy-Ion-Induced Degradation in Si3N4MIM Capacitors for GaN Power Amplifiers
2026 Roy Chowdhury, S.; Rossetto, I.; De Santi, C.; Fregolent, M.; Carlotto, A.; Rampazzo, F.; De Pieri, F.; Pantellini, A.; Natali, M.; Latessa, L.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.
A Schottky gate p-GaN fin-channel field effect transistor on very low-doped p-GaN films
2025 Fregolent, Manuel; Singh, Simranjit; Lu, Shun; Watanabe, Hirotaka; Wang, Jia; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo; Honda, Yoshio; Amano, Hiroshi; Sarkar, Biplab
Analysis of OFF-state Threshold Voltage Instability on Vertical GaN-on-Si Trench MOSFETs
2025 Fregolent, M.; Bergamin, F.; Favero, D.; De Santi, C.; Cester, Andrea; Huber, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Comprehensive Analysis of Deep level Effects and in-situ Photoionization in 0.15 $\mu \mathrm{m}$ buffer-free AIGaN/GaN HEMTs for RF applications
2025 Pieri, Francesco De; Fregolent, Manuel; Saro, Marco; Carlotto, Andrea; Boito, Mirco; Santi, Carlo De; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico
Deep Level Effects and Hot-Electron Reliability in Scaled GaN HEMTs
2025 Zanoni, Enrico; Carlotto, Andrea; De Pieri, Francesco; Fregolent, Manuel; Saro, Marco; Rampazzo, Fabiana; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo
Development of p-channel GaN FETs on extremely-low doped p-GaN with Mg-diffused Ohmic contacts
2025 Fregolent, Manuel; Sarkar, Biplab; Lu, Shun; Wang, Jia; Watanabe, Hirotaka; Woong, Kwon; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Honda, Yoshio; Amano, Hiroshi; Meneghini, Matteo
Enhanced Gate Reliability of p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs Due to Gate Hole Injection and Recombination
2025 Fregolent, Manuel; De Santi, Carlo; Boito, Mirco; Disarò, Michele; Pirani, Alessio; Eloisa Castagna, Maria; Miccoli, Cristina; Pizzo, Giansalvo; Rossetto, Isabella; Cerati, Lorenzo; Iucolano, Ferdinando; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Evidence for Avalanche and its Role in Lateral and Vertical Gallium Nitride Devices
2025 De Santi, C.; Fraccaroli, R.; Fregolent, M.; Dell’Andrea, M.; Rossetto, I.; Boito, M.; Canato, E.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Miccoli, C.; Russo, A.; Castagna, M. E.; Cerati, L.; Iucolano, F.; Buffolo, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Evidence for Avalanche Operation in Sub-Micrometer Power GaN HEMTs with p-GaN Gate
2025 Fraccaroli, Riccardo; Dell'Andrea, Matteo; Fregolent, Manuel; Boito, Mirco; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Canato, Eleonora; Zanoni, Enrico; Rossetto, Isabella; Pirani, Alessio; Pizzo, Giansalvo; Miccoli, Cristina; Russo, Alfio; Castagna, Maria Eloisa; Iucolano, Ferdinando; Meneghini, Matteo
Evidence for double degradation regime in off-state stressed 100 V GaN transistors: From dielectric failure to subthreshold current increase
2025 Fraccaroli, R.; Fregolent, M.; Boito, M.; De Santi, C.; Canato, E.; Rossetto, I.; Castagna, M. E.; Miccoli, C.; Russo, A.; Iucolano, F.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.