MENEGHINI, MATTEO
MENEGHINI, MATTEO
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Deep-Level Effects in Back-Barrier-Scaled GaN HEMTs
2026 De Pieri, F.; Carlotto, A.; Fregolent, M.; Cavaliere, A.; Saro, M.; Rampazzo, F.; De Santi, C.; Zhan, V. G.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.
Experimental Evidence of Sustainable Avalanche Operation in E-Mode GaN HEMTs
2026 Fraccaroli, R.; Dell'Andrea, M.; Fregolent, M.; Boito, M.; Longato, S. L.; De Santi, C.; Rossetto, I.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Miccoli, C.; Russo, A.; Castagna, M. E.; Iucolano, F.; Meneghini, M.
How the absorber thickness affects the electrical and structural properties of Sb2Se3 solar cells
2026 Torabi, N.; Delgado-Sanchez, J. M.; Artegiani, E.; Kuliček, J.; Rezek, B.; Jakuza, P.; Meneghini, M.; Romeo, A.
Quantitative modeling of threshold instability in β-Ga2O3 finFETs through electro-optical investigation
2026 Fregolent, M.; Piva, F.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Li, W.; Nomoto, K.; Hu, Z.; Jena, D.; Xing, H. G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
VLC node based on photovoltaic detector and liquid crystal passive modulated retroreflector
2026 Trivellin, N.; Peruzzi, G.; Michelon, T.; Tormena, N.; Rigo, F.; Migliorini, M.; Brighente, A.; Meneghini, M.; Pozzebon, A.
720 V quasi-vertical GaN-on-silicon p–n diodes with surge capability fabricated using selective area growth
2025 El Amrani, Mohammed; Lyu, Junrui; Wen, Xinyi; Marcuzzi, Alberto; Plaza Arguello, David; M'Qaddem, Zakariae; Kaltsounis, Thomas; El Rammouz, Hala; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Charles, Matthew; Buckley, Julien; Chowdhury, Srabanti
A Schottky gate p-GaN fin-channel field effect transistor on very low-doped p-GaN films
2025 Fregolent, Manuel; Singh, Simranjit; Lu, Shun; Watanabe, Hirotaka; Wang, Jia; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo; Honda, Yoshio; Amano, Hiroshi; Sarkar, Biplab
Addressing the oxide-aperture dependency of the degradation of 845 nm VCSELs for silicon photonics
2025 Buffolo, Matteo; Zenari, Michele; De Santi, Carlo; Rossi, Francesca; Lazzarini, Laura; Roelkens, Günther; Larsson, Anders; Grabowski, Alexander; Gustavsson, Johan; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Analysis and modeling of the positive degradation mechanism observed in 265 nm UV-C LEDs
2025 Piva, F.; Roccato, N.; Buffolo, M.; Longato, S. L.; Pilati, M.; Susilo, N.; Vidal, D. H.; Muhin, A.; Sulmoni, L.; Wernicke, T.; Kneissl, M.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Analysis of extrinsic failure mechanisms of high-power blue, red, and white LEDs for horticulture and street lighting
2025 Caria, Alessandro; Fraccaroli, Riccardo; Pierobon, Giulia; Castellaro, Thomas; Huang, Ambrogio; Magnien, Julien; Rosc, Joerdis; Mura, Giovanna; De Santi, Carlo; Buffolo, Matteo; Trivellin, Nicola; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo
Analysis of OFF-state Threshold Voltage Instability on Vertical GaN-on-Si Trench MOSFETs
2025 Fregolent, M.; Bergamin, F.; Favero, D.; De Santi, C.; Cester, Andrea; Huber, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Changes in the extraction and collection efficiency of GaN-based MQW solar cells under optical step-stress
2025 Nicoletto, M.; Bertin, S.; Caria, A.; Roccato, N.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Comprehensive Analysis of Deep level Effects and in-situ Photoionization in 0.15 $\mu \mathrm{m}$ buffer-free AIGaN/GaN HEMTs for RF applications
2025 Pieri, Francesco De; Fregolent, Manuel; Saro, Marco; Carlotto, Andrea; Boito, Mirco; Santi, Carlo De; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico
Current Collapse in Buffer-Free GaN-on-SiC Power Transistors: Maxwell-Wagner Effect and Related Model
2025 Cavaliere, Alberto; Modolo, Nicola; Santi, Carlo De; Koller, Christian; Ostermaier, Clemens; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Öberg, Olof; Wang, Qin; Chen, Ding Yuan; Lundskog, Anders; Chen, Jr-Tai; Meneghini, Matteo
Deep Level Effects and Hot-Electron Reliability in Scaled GaN HEMTs
2025 Zanoni, Enrico; Carlotto, Andrea; De Pieri, Francesco; Fregolent, Manuel; Saro, Marco; Rampazzo, Fabiana; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo
Defects and reliability of UVC-LEDs
2025 Buffolo, Matteo; Piva, Francesco; Roccato, Nicola; De Santi, Carlo; Wernicke, Tim; Höpfner, Jakob; Marcel Schilling, Marcel; Muhin, Anton; Susilo, Norman; Hauer-Vidal, Daniel; Sulmoni, Luca; Kneissl, Michael; Trivellin, Nicola; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Defects in InGaN QW structures: microscopic properties and modeling
2025 Meneghini, Matteo; Nicoletto, Marco; Piva, Francesco; Roccato, Nicola; Caria, Alessandro; Rampazzo, Fabiana; De Santi, Carlo; Buffolo, Matteo; Rossi, Francesca; Mura, Giovanna; Gasparotto, Andrea; Becht, Conny; Kusch, Gunnar; Ji, Yihong; Huang, Xuanqi; Fu, Houqiang; Chen, Hong; Zhao, Yuji; Trivellin, Nicola; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Oliver, Rachel; Grandjean, Nicolas; Schwarz, Ulrich T.
Degradation Effects in UVC LEDs Analyzed by Single-Wavelength Photo-Capacitance Transients
2025 Pilati, M.; Piva, F.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Meneghini, M.
Development of p-channel GaN FETs on extremely-low doped p-GaN with Mg-diffused Ohmic contacts
2025 Fregolent, Manuel; Sarkar, Biplab; Lu, Shun; Wang, Jia; Watanabe, Hirotaka; Woong, Kwon; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Honda, Yoshio; Amano, Hiroshi; Meneghini, Matteo
Diffusion mechanism as cause of optical degradation in AlGaN-based UV-C leds investigated by TCAD simulations
2025 Roccato, N.; Piva, F.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Trivellin, N.; Susilo, N.; Vidal, D. H.; Muhin, A.; Sulmoni, L.; Wernicke, T.; Kneissl, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.