SARO, MARCO
SARO, MARCO
Università di Padova
Deep level effects in GaN based HEMTs for radiofrequency applications. Different solutions for mitigation of short channel effect
2026 Saro, Marco
Deep-Level Effects in Back-Barrier-Scaled GaN HEMTs
2026 De Pieri, F.; Carlotto, A.; Fregolent, M.; Cavaliere, A.; Saro, M.; Rampazzo, F.; De Santi, C.; Zhan, V. G.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.
Comprehensive Analysis of Deep level Effects and in-situ Photoionization in 0.15 $\mu \mathrm{m}$ buffer-free AIGaN/GaN HEMTs for RF applications
2025 Pieri, Francesco De; Fregolent, Manuel; Saro, Marco; Carlotto, Andrea; Boito, Mirco; Santi, Carlo De; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico
Deep Level Effects and Hot-Electron Reliability in Scaled GaN HEMTs
2025 Zanoni, Enrico; Carlotto, Andrea; De Pieri, Francesco; Fregolent, Manuel; Saro, Marco; Rampazzo, Fabiana; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo
Study of trapping mechanisms affecting AlGaN/GaN HEMTs adopting AlGaN back-barriers with different aluminum concentrations
2025 Carlotto, Andrea; Rampazzo, Fabiana; Saro, Marco; De Pieri, Francesco; Fregolent, Manuel; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico
Deep Level Effects in N-Polar AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors: Toward Zero Dispersion Effects
2024 Saro, Marco; de Pieri, Francesco; Carlotto, Andrea; Fornasier, Mirko; Rampazzo, Fabiana; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Bisi, Davide; Guidry, Matthew; Keller, Stacia; Mishra, Umesh
Dynamic Behavior of Threshold Voltage and ID–VDS Kink in AlGaN/GaN HEMTs Due to Poole–Frenkel Effect
2023 Gao, Zhan; De Santi, Carlo; Rampazzo, Fabiana; Saro, Marco; Fornasier, Mirko; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Zanoni, Enrico
Microwave and Millimeter-Wave GaN HEMTs: Impact of Epitaxial Structure on Short-Channel Effects, Electron Trapping, and Reliability
2023 Zanoni, Enrico; Santi, Carlo De; Gao, Zhan; Buffolo, Matteo; Fornasier, Mirko; Saro, Marco; Pieri, Francesco De; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Zagni, Nicolò; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni
Deep levels effects and on-wafer reliability of 0.15 um InAlN/GaN and InAlGaN/GaN HEMTs with AlGaN backbarrier for RF applications
2022 Gao, Z.; Chiocchetta, F.; Fornasier, M.; Saro, M.; Stramare, E.; Tonello, A.; Sharma, C.; Modolo, N.; De Santi, C.; Rampazzo, F.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Jacquet, J-C.; Lacam, C.; Piotrowicz, S.; Oualli, M.; Michel, N.; Aroulanda, S.