ROSSETTO, ISABELLA
ROSSETTO, ISABELLA
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Enhanced Gate Reliability of p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs Due to Gate Hole Injection and Recombination
2025 Fregolent, Manuel; De Santi, Carlo; Boito, Mirco; Disarò, Michele; Pirani, Alessio; Eloisa Castagna, Maria; Miccoli, Cristina; Pizzo, Giansalvo; Rossetto, Isabella; Cerati, Lorenzo; Iucolano, Ferdinando; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Evidence for Avalanche Operation in Sub-Micrometer Power GaN HEMTs with p-GaN Gate
2025 Fraccaroli, Riccardo; Dell'Andrea, Matteo; Fregolent, Manuel; Boito, Mirco; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Canato, Eleonora; Zanoni, Enrico; Rossetto, Isabella; Pirani, Alessio; Pizzo, Giansalvo; Miccoli, Cristina; Russo, Alfio; Castagna, Maria Eloisa; Iucolano, Ferdinando; Meneghini, Matteo
Evidence for double degradation regime in off-state stressed 100 V GaN transistors: From dielectric failure to subthreshold current increase
2025 Fraccaroli, R.; Fregolent, M.; Boito, M.; De Santi, C.; Canato, E.; Rossetto, I.; Castagna, M. E.; Miccoli, C.; Russo, A.; Iucolano, F.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Experimental Demonstration of Avalanche operation in lateral normally-off 100 V GaN HEMTs
2025 Fraccaroli, Riccardo; Dell’Andrea, Matteo; Fregolent, Manuel; Boito, Mirco; Rossetto, Isabella; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Canato, Eleonora; Pirani, Alessio; Pizzo, Giansalvo; Miccoli, Cristina; Russo, Alfio; Eloisa Castagna, Maria; Iucolano, Ferdinando; Meneghini, Matteo
TLP effects on normally-off p-GaN gate power HEMTs with Schottky gate
2025 De Santi, C.; Longato, S. L.; Rossetto, I.; Buffolo, M.; Rampazzo, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Gate leakage modeling and reliability in forward gate bias of p-GaN HEMTs with Schottky-gate
2024 De Santi, Carlo; Fregolent, Manuel; Boito, Mirco; Disarò, Michele; Buffolo, Matteo; Canato, Eleonora; Gallo, Michele; Miccoli, Cristina; Rossetto, Isabella; Russo, Alfio; Iucolano, Ferdinando; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Modeling of the gate leakage and forward gate reliability in Schottky-gate p-GaN HEMTs
2024 De Santi, Carlo; Fregolent, Manuel; Boito, Mirco; Disarò, Michele; Buffolo, Matteo; Canato, Eleonora; Gallo, Michele; Miccoli, Cristina; Rossetto, Isabella; Russo, Alfio; Iucolano, Ferdinando; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Negative Activation Energy of Gate Reliability in Schottky-Gate p-GaN HEMTs: Combined Gate Leakage Current Modeling and Spectral Electroluminescence Investigation
2024 Fregolent, Manuel; Boito, Mirco; Disarò, Michele; De Santi, Carlo; Buffolo, Matteo; Canato, Eleonora; Gallo, Michele; Miccoli, Cristina; Rossetto, Isabella; Pizzo, Giansalvo; Russo, Alfio; Iucolano, Ferdinando; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
On-Wafer Dynamic Operation of Power GaN-HEMTs: Degradation Processes Investigated by a Novel Experimental Approach
2024 Boito, M.; Fregolent, M.; De Santi, C.; Abbisogni, A.; Smerzi, S.; Rossetto, I.; Iucolano, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Review on the degradation of GaN-based lateral power transistors
2021 De Santi, C.; Buffolo, M.; Rossetto, I.; Bordignon, T.; Brusaterra, E.; Caria, A.; Chiocchetta, F.; Favero, D.; Fregolent, M.; Masin, F.; Modolo, N.; Nardo, A.; Piva, F.; Rampazzo, F.; Sharma, C.; Trivellin, N.; Gao, Z.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
2DEG Retraction and Potential Distribution of GaN-on-Si HEMTs Investigated Through a Floating Gate Terminal
2018 Rossetto, I.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Pandey, Sudip; Gajda, M.; Hurkx, G. A. M.; Croon, J.; Šonský, J.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Reliability of GaN-Based Power Devices
2018 Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.; Ruzzarin, M.; Rossetto, I.
Buffer-induced vertical leakage and charge trapping in normally-off GaN-on-Si HEMTs
2017 Borga, M.; Meneghini, M.; Rossetto, I.; Silvestri, M.; Haeberlen, O.; Detzel, T.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Coupled experimental/simulation analysis as a tool for probing trap-related and high-electric-field phenomena in GaN HEMTs
2017 Verzellesi, G.; Chini, A.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Rossetto, I.; Zanoni, E.
Degradation of GaN-HEMTs with p-GaN Gate: Dependence on temperature and on geometry
2017 Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Borga, Matteo; Canato, Eleonora; De Santi, Carlo; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Stoffels, Steve; Van Hove, Marleen; Posthuma, Niels; Decoutere, Stefaan
Dielectric related issues in GaN based MIS HEMTs
2017 Meneghesso, G.; Bisi, D.; Rossetto, I; Ruzzarin, M.; De Santi, C.; Meneghini, Matteo; Zanoni, E.
Evidence of Hot-Electron Effects during Hard Switching of AlGaN/GaN HEMTs
2017 Rossetto, I.; Meneghini, M.; Tajalli, A.; Dalcanale, S.; De Santi, C.; Moens, P.; Banerjee, A.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Evidence of Time-Dependent Vertical Breakdown in GaN-on-Si HEMTs
2017 Borga, Matteo; Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Stoffels, Steve; Posthuma, Niels; Van Hove, Marleen; Marcon, Denis; Decoutere, Stefaan; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Field and hot electron-induced degradation in GaN-based power MIS-HEMTs
2017 Tajalli, Alaleh; Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Moens, Peter; Banerjee, Abhishek; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Field- and current-driven degradation of GaN-based power HEMTs with p-GaN gate: Dependence on Mg-doping level
2017 Rossetto, I.; Meneghini, M.; Canato, E.; Barbato, M.; Stoffels, S.; Posthuma, N.; Decoutere, S.; Tallarico, A. N.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.