ROSSETTO, ISABELLA
ROSSETTO, ISABELLA
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
ESD Robustness of Sub-Micrometer GaN Power HEMTs: Dependence on Device and Process Parameters
2026 Longato, S. L.; De Santi, C.; Rossetto, I.; Fraccaroli, R.; Fregolent, M.; Di Biccari, L.; Cerati, L.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Experimental Evidence of Sustainable Avalanche Operation in E-Mode GaN HEMTs
2026 Fraccaroli, R.; Dell'Andrea, M.; Fregolent, M.; Boito, M.; Longato, S. L.; De Santi, C.; Rossetto, I.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Miccoli, C.; Russo, A.; Castagna, M. E.; Iucolano, F.; Meneghini, M.
Hot-Electron Degradation under Switching Accelerated Lifetime Testing (SALT) of 650 v E-Mode GaN HEMTs: A Novel Experimental Approach
2026 Dell'Andrea, M.; Boito, M.; Fregolent, M.; Fraccaroli, R.; Rossetto, I.; De Santi, C.; Abbisogni, A.; Giuffrida, M.; Ruvolo, M.; Castagna, M. E.; Iucolano, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Methodology for Extrapolating the Lifetime of GaN HEMTs with p-GaN Gate
2026 Fraccaroli, R.; Fregolent, M.; Dell'Andrea, M.; Rossetto, I.; De Santi, C.; Pirani, A.; Millefanti, A.; Pizzo, G.; Fezzi, V.; Castagna, M. E.; Miccoli, C.; Iucolano, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Modeling the Changes in the Current-Voltage Characteristics of Vertical GaN-on-GaN p-i-n Diodes Under Electrical Stress
2026 Vianello, A. M.; Longato, S. L.; Fregolent, M.; Rampazzo, F.; Buffolo, M.; Wang, D.; Da, B.; Fu, H.; Luo, S.; Chang, C.; Zhao, Y.; Rossetto, I.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Origin of Deep Levels Responsible for Transconductance Overshoot in AlGaN/GaN HEMTs and Impact in Real-Life Operating Conditions
2026 Carlotto, A.; De Pieri, F.; Rossetto, I.; De Santi, C.; Fregolent, M.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Study of Heavy-Ion-Induced Degradation in Si3N4MIM Capacitors for GaN Power Amplifiers
2026 Roy Chowdhury, S.; Rossetto, I.; De Santi, C.; Fregolent, M.; Carlotto, A.; Rampazzo, F.; De Pieri, F.; Pantellini, A.; Natali, M.; Latessa, L.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.
Transient Short-Channel Effects Induced by Si δ Doping in Buffer-Free LG=0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs
2026 De Pieri, F.; De Santi, C.; Rossetto, I.; Carlotto, A.; Roy Chowdhury, S.; Saro, M.; Rampazzo, F.; Stieglauer, H.; Grünenpütt, J.; Sommer, D.; Chen, J. T.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Enhanced Gate Reliability of p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs Due to Gate Hole Injection and Recombination
2025 Fregolent, Manuel; De Santi, Carlo; Boito, Mirco; Disarò, Michele; Pirani, Alessio; Eloisa Castagna, Maria; Miccoli, Cristina; Pizzo, Giansalvo; Rossetto, Isabella; Cerati, Lorenzo; Iucolano, Ferdinando; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Evidence for Avalanche and its Role in Lateral and Vertical Gallium Nitride Devices
2025 De Santi, C.; Fraccaroli, R.; Fregolent, M.; Dell’Andrea, M.; Rossetto, I.; Boito, M.; Canato, E.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Miccoli, C.; Russo, A.; Castagna, M. E.; Cerati, L.; Iucolano, F.; Buffolo, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Evidence for Avalanche Operation in Sub-Micrometer Power GaN HEMTs with p-GaN Gate
2025 Fraccaroli, Riccardo; Dell'Andrea, Matteo; Fregolent, Manuel; Boito, Mirco; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Canato, Eleonora; Zanoni, Enrico; Rossetto, Isabella; Pirani, Alessio; Pizzo, Giansalvo; Miccoli, Cristina; Russo, Alfio; Castagna, Maria Eloisa; Iucolano, Ferdinando; Meneghini, Matteo
Evidence for double degradation regime in off-state stressed 100 V GaN transistors: From dielectric failure to subthreshold current increase
2025 Fraccaroli, R.; Fregolent, M.; Boito, M.; De Santi, C.; Canato, E.; Rossetto, I.; Castagna, M. E.; Miccoli, C.; Russo, A.; Iucolano, F.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Experimental Demonstration of Avalanche operation in lateral normally-off 100 V GaN HEMTs
2025 Fraccaroli, Riccardo; Dell’Andrea, Matteo; Fregolent, Manuel; Boito, Mirco; Rossetto, Isabella; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Canato, Eleonora; Pirani, Alessio; Pizzo, Giansalvo; Miccoli, Cristina; Russo, Alfio; Eloisa Castagna, Maria; Iucolano, Ferdinando; Meneghini, Matteo
GaN Devices: Technology, Reliability-Limiting Processes and ESD Failures
2025 Meneghini, M.; Longato, S.; Fregolent, M.; Fraccaroli, R.; Rossetto, I.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Modeling the Changes in the Electrical Properties of Vertical GaN-on-GaN pin Diodes Under Electrical Stress
2025 Longato, S.; Vianello, A.; Fregolent, M.; Wang, D.; Fu, H.; Luo, S.; Zhao, Y.; Buffolo, M.; Rossetto, I.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
TLP effects on normally-off p-GaN gate power HEMTs with Schottky gate
2025 De Santi, C.; Longato, S. L.; Rossetto, I.; Buffolo, M.; Rampazzo, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Gate leakage modeling and reliability in forward gate bias of p-GaN HEMTs with Schottky-gate
2024 De Santi, Carlo; Fregolent, Manuel; Boito, Mirco; Disarò, Michele; Buffolo, Matteo; Canato, Eleonora; Gallo, Michele; Miccoli, Cristina; Rossetto, Isabella; Russo, Alfio; Iucolano, Ferdinando; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Modeling of the gate leakage and forward gate reliability in Schottky-gate p-GaN HEMTs
2024 De Santi, Carlo; Fregolent, Manuel; Boito, Mirco; Disarò, Michele; Buffolo, Matteo; Canato, Eleonora; Gallo, Michele; Miccoli, Cristina; Rossetto, Isabella; Russo, Alfio; Iucolano, Ferdinando; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Negative Activation Energy of Gate Reliability in Schottky-Gate p-GaN HEMTs: Combined Gate Leakage Current Modeling and Spectral Electroluminescence Investigation
2024 Fregolent, Manuel; Boito, Mirco; Disarò, Michele; De Santi, Carlo; Buffolo, Matteo; Canato, Eleonora; Gallo, Michele; Miccoli, Cristina; Rossetto, Isabella; Pizzo, Giansalvo; Russo, Alfio; Iucolano, Ferdinando; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
On-Wafer Dynamic Operation of Power GaN-HEMTs: Degradation Processes Investigated by a Novel Experimental Approach
2024 Boito, M.; Fregolent, M.; De Santi, C.; Abbisogni, A.; Smerzi, S.; Rossetto, I.; Iucolano, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.