ROSSETTO, ISABELLA
ROSSETTO, ISABELLA
2DEG Retraction and Potential Distribution of GaN-on-Si HEMTs Investigated Through a Floating Gate Terminal
2018 Rossetto, I.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Pandey, Sudip; Gajda, M.; Hurkx, G. A. M.; Croon, J.; Šonský, J.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
A novel high voltage and high speed measurement system for dynamic RON measurements in GaN‐based high mobility transistors (HEMTs)
2016 Barbato, Alessandro; Rossetto, Isabella; Barbato, Marco; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Buffer Traps in Fe-Doped AlGaN/GaN HEMTs: Investigation of the Physical Properties Based on Pulsed and Transient Measurements
2014 Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Bisi, Davide; Stocco, Antonio; Alessandro, Chini; Alessio, Pantellini; Claudio, Lanzieri; Antonio, Nanni; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Buffer-induced vertical leakage and charge trapping in normally-off GaN-on-Si HEMTs
2017 Borga, M.; Meneghini, M.; Rossetto, I.; Silvestri, M.; Haeberlen, O.; Detzel, T.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Comparison of the performances of an InAlN/GaN HEMT with a Mo/Au gate or a Ni/Pt/Au gate
2013 Rossetto, Isabella; Rampazzo, Fabiana; Silvestri, Riccardo; Zanandrea, Alberto; C., Dua; S., Delage; M., Oualli; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Coupled experimental/simulation analysis as a tool for probing trap-related and high-electric-field phenomena in GaN HEMTs
2017 Verzellesi, G.; Chini, A.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Rossetto, I.; Zanoni, E.
Degradation of AlGaN/GaN HEMT devices: Role of reverse-bias and hot electron stress
2013 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Stocco, Antonio; Bisi, Davide; DE SANTI, Carlo; Rossetto, Isabella; Zanandrea, Alberto; Rampazzo, Fabiana; Zanoni, Enrico
Degradation of AlGaN/GaN HET devices: role of reverse vias and hot electron stress
2013 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Stocco, Antonio; Bisi, Davide; DE SANTI, Carlo; Rossetto, Isabella; Zanandrea, Alberto; Cester, Andrea; Rampazzo, Fabiana; Zanoni, Enrico
Degradation of dc and pulsed characteristics of InAlN/GaN HEMTs under different proton fluences
2014 Rossetto, Isabella; Rampazzo, Fabiana; Gerardin, Simone; Meneghini, Matteo; Bagatin, Marta; Zanandrea, Alberto; Paccagnella, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Christian, Dua; Marie Antoinette di Forte, Poisson; Raphael, Aubry; Mourad, Oualli; Sylvain L., Delage
Degradation of GaN-HEMTs with p-GaN Gate: Dependence on temperature and on geometry
2017 Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Borga, Matteo; Canato, Eleonora; De Santi, Carlo; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Stoffels, Steve; Van Hove, Marleen; Posthuma, Niels; Decoutere, Stefaan
Demonstration of Field- and Power-Dependent ESD Failure in AlGaN/GaN RF HEMTs
2015 Rossetto, Isabella; Meneghini, Matteo; Barbato, Marco; Rampazzo, Fabiana; Marcon, D.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Dielectric related issues in GaN based MIS HEMTs
2017 Meneghesso, G.; Bisi, D.; Rossetto, I; Ruzzarin, M.; De Santi, C.; Meneghini, Matteo; Zanoni, E.
Effects of buffer compensation strategies on the electrical performance and RF reliability of AlGaN/GaN HEMTs
2015 Bisi, D; Stocco, A.; Rossetto, I.; Meneghini, M.; Rampazzo, Fabiana.; Chini, A.; Soci, F.; Pantellini, A.; Lanzieri, C.; Gamarra, P.; Lacam, C.; Tordjman, M.; Di Forte-Poisson, M. -A.; De Salvador, D.; Bazzan, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Electric-field and Thermally-activated Failure Mechanisms of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
2011 Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Stocco, Antonio; Rampazzo, Fabiana; Silvestri, Riccardo; Rossetto, Isabella; Ronchi, Nicolo'
ESD sensitivity of a GaAs MMIC microwave power amplifier
2011 Tazzoli, Augusto; Rossetto, Isabella; Zanoni, Enrico; Dai, Yf; Tomasi, T; Meneghesso, Gaudenzio
Evidence of Hot-Electron Degradation in GaN-based MIS-HEMTs Submitted to High Temperature Constant Source Current Stress
2016 Ruzzarin, Maria; Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Van Hove, M.; Stoffels, S.; Wu, T. L.; Decoutere, S.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Evidence of Hot-Electron Effects during Hard Switching of AlGaN/GaN HEMTs
2017 Rossetto, I.; Meneghini, M.; Tajalli, A.; Dalcanale, S.; De Santi, C.; Moens, P.; Banerjee, A.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Evidence of Time-Dependent Vertical Breakdown in GaN-on-Si HEMTs
2017 Borga, Matteo; Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Stoffels, Steve; Posthuma, Niels; Van Hove, Marleen; Marcon, Denis; Decoutere, Stefaan; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Experimental demonstration of weibull distributed failure in p-type GaN high electron mobility transistors under high forward bias stress
2016 Rossetto, Isabella; Meneghini, Matteo; Silvestri, Riccardo; Dalcanale, Stefano; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Hilt, O.; Bahat Treidel, E.; Wuerfl, J.
Extensive Investigation of Time-Dependent Breakdown of GaN-HEMTs Submitted to OFF-State Stress
2015 Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Fred, Hurkx; Jan, Šonský; Jeroen, A. Croon; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico