MENEGHESSO, GAUDENZIO
MENEGHESSO, GAUDENZIO
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Deep-Level Effects in Back-Barrier-Scaled GaN HEMTs
2026 De Pieri, F.; Carlotto, A.; Fregolent, M.; Cavaliere, A.; Saro, M.; Rampazzo, F.; De Santi, C.; Zhan, V. G.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.
ESD Robustness of Sub-Micrometer GaN Power HEMTs: Dependence on Device and Process Parameters
2026 Longato, S. L.; De Santi, C.; Rossetto, I.; Fraccaroli, R.; Fregolent, M.; Di Biccari, L.; Cerati, L.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Experimental Evidence of Sustainable Avalanche Operation in E-Mode GaN HEMTs
2026 Fraccaroli, R.; Dell'Andrea, M.; Fregolent, M.; Boito, M.; Longato, S. L.; De Santi, C.; Rossetto, I.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Miccoli, C.; Russo, A.; Castagna, M. E.; Iucolano, F.; Meneghini, M.
Hot-Electron Degradation under Switching Accelerated Lifetime Testing (SALT) of 650 v E-Mode GaN HEMTs: A Novel Experimental Approach
2026 Dell'Andrea, M.; Boito, M.; Fregolent, M.; Fraccaroli, R.; Rossetto, I.; De Santi, C.; Abbisogni, A.; Giuffrida, M.; Ruvolo, M.; Castagna, M. E.; Iucolano, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Identification of boron-related traps via capacitance spectroscopy in diamond Schottky diodes
2026 Biasin, G.; Fregolent, M.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Bassaler, J.; Maurya, V.; Letellier, J.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Verzellesi, G.; Chini, A.; Meneghini, M.
Link between defects, quantum efficiency and degradation trends in UV-C LEDs
2026 Meneghini, M.; Piva, F.; Roccato, N.; Pacuk, J.; Pilati, M.; Longato, S.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Susilo, N.; Schilling, M.; Vidal, D. H.; Muhin, A.; Sulmoni, L.; Höpfner, J.; Ruschel, J.; Glaab, J.; Rass, J.; Einfeldt, S.; Wernicke, T.; Kneissl, M.; Trivellin, N.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Methodology for Extrapolating the Lifetime of GaN HEMTs with p-GaN Gate
2026 Fraccaroli, R.; Fregolent, M.; Dell'Andrea, M.; Rossetto, I.; De Santi, C.; Pirani, A.; Millefanti, A.; Pizzo, G.; Fezzi, V.; Castagna, M. E.; Miccoli, C.; Iucolano, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Modeling Leakage Current Variations Starting From Threshold Voltage Shift in SiC MOSFETs Submitted to Positive Gate Stress
2026 Zappalà, G.; Marcuzzi, A.; De Santi, C.; Avramenko, M.; Moens, P.; Feng, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Modeling the Changes in the Current-Voltage Characteristics of Vertical GaN-on-GaN p-i-n Diodes Under Electrical Stress
2026 Vianello, A. M.; Longato, S. L.; Fregolent, M.; Rampazzo, F.; Buffolo, M.; Wang, D.; Da, B.; Fu, H.; Luo, S.; Chang, C.; Zhao, Y.; Rossetto, I.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Optical Degradation of 845 nm VCSELs With Different Oxide Apertures for Silicon Photonics
2026 Zenari, M.; Buffolo, M.; Perale, F.; De Santi, C.; Goyvaerts, J.; Grabowski, A.; Gustavsson, J. S.; Baets, R.; Roelkens, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Origin of Deep Levels Responsible for Transconductance Overshoot in AlGaN/GaN HEMTs and Impact in Real-Life Operating Conditions
2026 Carlotto, A.; De Pieri, F.; Rossetto, I.; De Santi, C.; Fregolent, M.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
P-Channel GaN FETs on Low-Doped Layers Enabled by Thermal Mg-Diffusion Process: Demonstration and Characterization
2026 Fregolent, M.; Sarkar, B.; Lu, S.; Wang, J.; Watanabe, H.; Woong, K.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Honda, Y.; Amano, H.; Meneghini, M.
Quantitative modeling of threshold instability in β-Ga2O3 finFETs through electro-optical investigation
2026 Fregolent, M.; Piva, F.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Li, W.; Nomoto, K.; Hu, Z.; Jena, D.; Xing, H. G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Reliability of perovskite semitransparent mini-modules
2026 Trivellin, N.; Tormena, N.; De Santi, C.; Piva, F.; Caria, A.; Buffolo, M.; Cester, A.; Barichello, J.; Matteocci, F.; Di Carlo, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Study of Heavy-Ion-Induced Degradation in Si3N4MIM Capacitors for GaN Power Amplifiers
2026 Roy Chowdhury, S.; Rossetto, I.; De Santi, C.; Fregolent, M.; Carlotto, A.; Rampazzo, F.; De Pieri, F.; Pantellini, A.; Natali, M.; Latessa, L.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.
Threshold Voltage Instabilities of 4H-SiC MOSFETs: Comparing Planar and Trench Devices
2026 Zappalà, G.; De Santi, C.; Avramenko, M.; Moens, P.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Transient Short-Channel Effects Induced by Si δ Doping in Buffer-Free LG=0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs
2026 De Pieri, F.; De Santi, C.; Rossetto, I.; Carlotto, A.; Roy Chowdhury, S.; Saro, M.; Rampazzo, F.; Stieglauer, H.; Grünenpütt, J.; Sommer, D.; Chen, J. T.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
720 V quasi-vertical GaN-on-silicon p–n diodes with surge capability fabricated using selective area growth
2025 El Amrani, Mohammed; Lyu, Junrui; Wen, Xinyi; Marcuzzi, Alberto; Plaza Arguello, David; M'Qaddem, Zakariae; Kaltsounis, Thomas; El Rammouz, Hala; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Charles, Matthew; Buckley, Julien; Chowdhury, Srabanti
A Schottky gate p-GaN fin-channel field effect transistor on very low-doped p-GaN films
2025 Fregolent, Manuel; Singh, Simranjit; Lu, Shun; Watanabe, Hirotaka; Wang, Jia; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo; Honda, Yoshio; Amano, Hiroshi; Sarkar, Biplab
Addressing the oxide-aperture dependency of the degradation of 845 nm VCSELs for silicon photonics
2025 Buffolo, Matteo; Zenari, Michele; De Santi, Carlo; Rossi, Francesca; Lazzarini, Laura; Roelkens, Günther; Larsson, Anders; Grabowski, Alexander; Gustavsson, Johan; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo