BRUSATERRA, ENRICO
BRUSATERRA, ENRICO
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Vertical GaN Devices: Reliability Challenges and Lessons Learned from Si and SiC
2024 Meneghini, M.; Fregolent, M.; Zagni, N.; Hamadoui, Y.; Marcuzzi, A.; Favero, D.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Tomasi, M.; Zappala, G.; Bahat-Treidel, E.; Brusaterra, E.; Brunner, F.; Hilt, O.; Huber, C.; Medjdoub, F.; Meneghesso, G.; Verzellesi, G.; Pavan, P.; Zanoni, E.
Correlating Interface and Border Traps With Distinctive Features of C–V Curves in Vertical Al2O3/GaN MOS Capacitors
2023 Zagni, Nicolò; Fregolent, Manuel; Verzellesi, Giovanni; Marcuzzi, Alberto; Santi, Carlo De; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Treidel, Eldad Bahat; Brusaterra, Enrico; Brunner, Frank; Hilt, Oliver; Meneghini, Matteo; Pavan, Paolo
| Titolo | Data di pubblicazione | Autori | Rivista | Serie | Titolo libro |
|---|---|---|---|---|---|
| Vertical GaN Devices: Reliability Challenges and Lessons Learned from Si and SiC | 2024 | Meneghini M.Fregolent M.Marcuzzi A.Favero D.De Santi C.Buffolo M.Brusaterra E.Meneghesso G.Pavan P.Zanoni E. + | - | TECHNICAL DIGEST - INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING | Proceedings of the 70th IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2024) |
| Correlating Interface and Border Traps With Distinctive Features of C–V Curves in Vertical Al2O3/GaN MOS Capacitors | 2023 | Fregolent, ManuelMarcuzzi, AlbertoSanti, Carlo DeMeneghesso, GaudenzioZanoni, EnricoBrusaterra, EnricoMeneghini, Matteo + | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | - | - |