CHIOCCHETTA, FRANCESCA
CHIOCCHETTA, FRANCESCA
Università di Padova
Characterization of charge trapping mechanisms in GaN vertical Fin FETs under positive gate bias
2019 Ruzzarin, M.; De Santi, C.; Chiocchetta, F.; Sun, M.; Palacios, T.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.
Charge trapping in 0.1 μm AlGaN/GaN RF HEMTs: Dependence on barrier properties, voltage and temperature
2021 Chiocchetta, F.; De Santi, C.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Deep level effects and degradation of 0.15 μm RF AlGaN/GaN HEMTs with Mono-layer and Bi-layer AlGaN backbarrier
2022 Gao, Z.; Chiocchetta, F.; De Santi, C.; Modolo, N.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Blanck, H.; Stieglauer, H.; Sommer, D.; Benoit, L.; Grunenputt, J.; Kordina, O.; Chen, J. -T.; Jacquet, J. -C.; Lacam, C.; Piotrowicz, S.
Deep levels effects and on-wafer reliability of 0.15 um InAlN/GaN and InAlGaN/GaN HEMTs with AlGaN backbarrier for RF applications
2022 Gao, Z.; Chiocchetta, F.; Fornasier, M.; Saro, M.; Stramare, E.; Tonello, A.; Sharma, C.; Modolo, N.; De Santi, C.; Rampazzo, F.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Jacquet, J-C.; Lacam, C.; Piotrowicz, S.; Oualli, M.; Michel, N.; Aroulanda, S.
Degradation mechanism of 0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs: effects of hot electrons
2020 Gao, Z.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Chiocchetta, F.; Marcon, D.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Degradation of GaN-Based Lateral and Vertical Devices—Challenges and Perspectives
2019 Meneghini, Matteo; DE SANTI, Carlo; Barbato, Alessandro; Borga, Matteo; Canato, Eleonora; Chiocchetta, Francesca; Fabris, Elena; Gao, Zhan; Masin, Fabrizio; Mukherjee, Kalparupa; Nardo, Arianna; Rampazzo, Fabiana; Ruzzarin, Maria; Rzin, Mehdi; Tajalli, Alaleh; Barbato, Marco; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Degradation physics of GaN-based lateral and vertical devices
2019 Meneghini, M.; De Santi, C.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; Chiocchetta, Francesca; Fabris, E.; Masin, F.; Nardo, A.; Rampazzo, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Barbato, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Detrapping Kinetics in N-polar AlGaN/GaN MIS-HEMTs
2021 Chiocchetta, F; Calascione, C; De Santi, C; Sharma, C; Rampazzo, F; Zheng, X; Romanczyk, B; Guidry, M; Li, Hr; Keller, S; Mishra, U; Meneghesso, G; Meneghini, M; Zanoni, E
Failure mechanisms of GaN HEMTs for microwave and millimeter-wave applications: From interdiffusion effects to hot-electrons degradation
2021 Meneghesso, G.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Rampazzo, F.; Chiocchetta, F.; Zhan, G.; Sharma, C.; Zanoni, E.
GaN RF HEMT Reliability: Impact of Device Processing on I-V Curve Stability and Current Collapse
2022 Chiocchetta, F.; De Santi, C.; Rampazzo, F.; Mukherjee, K.; Grunenputt, J.; Sommer, D.; Blanck, H.; Lambert, B.; Gerosa, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Hot-electron trapping and electric field redistribution in 0.15 µm RF AlGaN/GaN HEMT with single or double layer AlGaN backbarrier
2022 Chiocchetta, F.; Gao, Z.; Fornasier, M.; Modolo, N.; De Santi, C.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Reliability and Dynamic Performance of Gallium Nitride-based Devices for Power Applications
2019 De Santi, C.; Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; Chiocchetta, F.; Fabris, E.; Gao, Z.; Masin, F.; Mukherjee, K.; Nardo, A.; Ruzzarin, M.; Rzin, M.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Reliability Physics of GaN HEMT Microwave Devices: The Age of Scaling
2020 Zanoni, E.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Rampazzo, F.; Marcon, D.; Zhan, V. G.; Chiocchetta, F.; Graff, A.; Altmann, F.; Simon-Najasek, M.; Poppitz, D.
Review on the degradation of GaN-based lateral power transistors
2021 De Santi, C.; Buffolo, M.; Rossetto, I.; Bordignon, T.; Brusaterra, E.; Caria, A.; Chiocchetta, F.; Favero, D.; Fregolent, M.; Masin, F.; Modolo, N.; Nardo, A.; Piva, F.; Rampazzo, F.; Sharma, C.; Trivellin, N.; Gao, Z.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Role of Carbon in dynamic effects and reliability of 0.15 um AlGaN/GaN HEMTs for RF power amplifiers
2022 De Santi, C; Zanoni, E; Meneghini, M; Meneghesso, G; Rampazzo, F; Gao, Z; Sharma, C; Chiocchetta, F; Verzellesi, G; Chini, A; Cioni, M; Zagni, N; Lanzieri, C; Pantellini, A; Peroni, M; Latessa, L
Role of the AlGaN Cap Layer on the Trapping Behaviour of N-Polar GaN MISHEMTs
2021 Chiocchetta, F.; Calascione, C.; De Santi, C.; Sharma, C.; Rampazzo, F.; Zheng, X.; Romanczyk, B.; Guidry, M.; Li, H.; Keller, S.; Mishra, U. K.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.
Short term reliability and robustness of ultra-thin barrier, 110 nm-gate AlN/GaN HEMTs
2021 Gao, Z. H.; Meneghini, M.; Harrouche, K.; Kabouche, R.; Chiocchetta, F.; Okada, E.; Rampazzo, F.; De Santi, C.; Medjdoub, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Short Term Reliability and Robustness of ultra-thin barrier, 110 nrn-gate AlN/GaN HEMTs
2020 Gao, Z.; Meneghini, M.; Harrouche, K.; Kabouche, R.; Chiocchetta, F.; Okada, E.; Rampazzo, F.; De Santi, C.; Medjdoub, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
STUDY OF TRAPPING IN GALLIUM NITRIDE HEMTS FOR RF APPLICATIONS
2023 Chiocchetta, Francesca
Thermally-activated failure mechanisms of 0.25 μm RF AlGaN/GaN HEMTs submitted to long-term life tests
2023 Gao, Z; Chiocchetta, F; Rampazzo, F; De Santi, C; Fornasier, M; Meneghesso, G; Meneghini, M; Zanoni, E