CHINI, ALESSANDRO
CHINI, ALESSANDRO
Physical Modelling of Charge Trapping Effects
2024 Buffolo, Matteo; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Zagni, Nicolò; Cioni, Marcello; Chini, Alessandro; Puglisi, Francesco Maria; Pavan, Paolo; Verzellesi, Giovanni
GaN-based power devices: Physics, reliability, and perspectives
2021 Meneghini, M.; De Santi, C.; Abid, I.; Buffolo, M.; Cioni, M.; Khadar, R. A.; Nela, L.; Zagni, N.; Chini, A.; Medjdoub, F.; Meneghesso, G.; Verzellesi, G.; Zanoni, E.; Matioli, E.
On-wafer RF stress and trapping kinetics of Fe-doped AlGaN/GaN HEMTs
2018 Rzin, Mehdi; Chini, A.; De Santi, C.; Meneghini, M.; Hugger, A.; Hollmer, M.; Stieglauer, H.; Madel, M.; Splettstößer, J.; Sommer, D.; Grünenpütt, J.; Beilenhoff, K.; Blanck, H.; Chen, J. -T.; Kordina, O.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
A novel test methodology for RON and VTH monitoring in GaN HEMTs during switch-mode operation
2017 Iucolano, F.; Parisi, A.; Reina, S.; Meneghesso, G.; Verzellesi, G.; Chini, A.
Role of deep levels and time-dependent breakdown effects in determining performances and reliability of power GaN devices
2017 Zanoni, Enrico; Barbato, Alessandro; Bisi, Davide; DE SANTI, Carlo; Rossetto, Isabella; Ruzzarin, Maria; Trivellin, Nicola; Chini, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo
Effects of buffer compensation strategies on the electrical performance and RF reliability of AlGaN/GaN HEMTs
2015 Bisi, D; Stocco, A.; Rossetto, I.; Meneghini, M.; Rampazzo, Fabiana.; Chini, A.; Soci, F.; Pantellini, A.; Lanzieri, C.; Gamarra, P.; Lacam, C.; Tordjman, M.; Di Forte-Poisson, M. -A.; De Salvador, D.; Bazzan, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Parasitic effects of buffer design on static and dynamic parameters of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
2014 Bisi, Davide; Stocco, Antonio; Rossetto, Isabella; Meneghini, Matteo; Rampazzo, Fabiana; Chini, Alessandro; F., Soci; A., Pantellini; C., Lanzieri; P., Gamarra; C., Lacam; M. A., di Forte Poisson; DE SALVADOR, Davide; Bazzan, Marco; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Effects of Thermal Annealing on Current Degradation in Enhancement Mode Pd gate InAlAs/InGaAs/InP pHEMTs
2011 Y., Lai; K. W., Ian; Bisi, Davide; Chini, Alessandro; M., Missous
Reliability aspects of GaN microwave devices
2004 Meneghesso, Gaudenzio; G., Verzellesi; Pierobon, Roberto; Rampazzo, Fabiana; Chini, Alessandro; Zanoni, Enrico
2.1 A/mm current density AlGaN/GaN HEMT
2003 Chini, Alessandro; Coffie, R.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Buttari, Dario; Heikman, S.; Keller, S.; Mishra, U. K.
Instabilities and degradation in GaN-based devices
2003 Meneghesso, Gaudenzio; G., Verzellesi; Pierobon, Roberto; Rampazzo, Fabiana; Chini, Alessandro; Zanoni, Enrico
Pulsed measurements and circuit modeling of weak and strong avalanche effects in GaAs MESFETs and HEMTs
2003 Meneghesso, Gaudenzio; Chini, Alessandro; M., Maretto; Zanoni, Enrico
Reliability aspects of GaN microwave devices
2003 Meneghesso, Gaudenzio; G., Verzellesi; Pierobon, Roberto; Rampazzo, Fabiana; Chini, Alessandro; Zanoni, Enrico
Characterization of GaN-based metal-semiconductor field-effect transistors by comparing Electroluminescence, Photoionization and Cathodoluminescence Spectroscopy
2002 N., Armani; M., Manfredi; M., Pavesi; V., Grillo; G., Salviati; Chini, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Deep-Level Characterization in 6H-SiC JFETs by Means of Two-Dimensional Device Simulations
2002 G., Verzellesi; Meneghesso, Gaudenzio; Chini, Alessandro; A., Mazzanti; C., Canali; Zanoni, Enrico
Experimental/Numerical Investigation on Current Collapse in AlGaN/GaN HEMT's
2002 G., Verzellesi; Pierobon, Roberto; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Chini, Alessandro; Buttari, Dario; U. K., Mishra; C., Canali; Zanoni, Enrico
Systematic characterization of Cl2 reactive ion etching for improved ohmics in AlGaN/GaN HEMTs
2002 Buttari, Dario; Chini, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Moran, B.; Heikman, S.; Zhang, N. Q.; Shen, L.; Coffie, R.; Denbaars, S. P.; Mishra, U. K.
Systematic characterization of Cl2 reactive ion etching for gate recessing in AlGaN/GaN HEMTs
2002 Buttari, Dario; Chini, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; P., Chavarkar; R., Coffie; N. Q., Zhang; S., Heikinan; L., Shen; H., Xing; C., Zheng; U. K., Mishra
Characterization of GaN based MESFETs by comparing Electroluminescence, Photoionization and Cathodoluminescence spectroscopy
2001 N., Armani; Chini, Alessandro; M., Manfredi; Meneghesso, Gaudenzio; M., Pavesi; V., Grillo; G., Salviati; Zanoni, Enrico
Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs
2001 Chini, Alessandro; F., Bruni; Buttari, Dario; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico