LONGATO, SIMONE LEONARDO
LONGATO, SIMONE LEONARDO
Università di Padova
ESD Robustness of Sub-Micrometer GaN Power HEMTs: Dependence on Device and Process Parameters
2026 Longato, S. L.; De Santi, C.; Rossetto, I.; Fraccaroli, R.; Fregolent, M.; Di Biccari, L.; Cerati, L.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Experimental Evidence of Sustainable Avalanche Operation in E-Mode GaN HEMTs
2026 Fraccaroli, R.; Dell'Andrea, M.; Fregolent, M.; Boito, M.; Longato, S. L.; De Santi, C.; Rossetto, I.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Miccoli, C.; Russo, A.; Castagna, M. E.; Iucolano, F.; Meneghini, M.
Link between defects, quantum efficiency and degradation trends in UV-C LEDs
2026 Meneghini, M.; Piva, F.; Roccato, N.; Pacuk, J.; Pilati, M.; Longato, S.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Susilo, N.; Schilling, M.; Vidal, D. H.; Muhin, A.; Sulmoni, L.; Höpfner, J.; Ruschel, J.; Glaab, J.; Rass, J.; Einfeldt, S.; Wernicke, T.; Kneissl, M.; Trivellin, N.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Modeling the Changes in the Current-Voltage Characteristics of Vertical GaN-on-GaN p-i-n Diodes Under Electrical Stress
2026 Vianello, A. M.; Longato, S. L.; Fregolent, M.; Rampazzo, F.; Buffolo, M.; Wang, D.; Da, B.; Fu, H.; Luo, S.; Chang, C.; Zhao, Y.; Rossetto, I.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Analysis and modeling of the positive degradation mechanism observed in 265 nm UV-C LEDs
2025 Piva, F.; Roccato, N.; Buffolo, M.; Longato, S. L.; Pilati, M.; Susilo, N.; Vidal, D. H.; Muhin, A.; Sulmoni, L.; Wernicke, T.; Kneissl, M.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
GaN Devices: Technology, Reliability-Limiting Processes and ESD Failures
2025 Meneghini, M.; Longato, S.; Fregolent, M.; Fraccaroli, R.; Rossetto, I.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Impact of drain-source leakage on the dynamic Ron of power HEMTs with p-GaN gate
2025 Longato, S. L.; Favero, D.; Stockman, A.; Nardo, A.; Vanmeerbeek, P.; Tack, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; De Santi, C.; Meneghini, M.
Modeling the Changes in the Electrical Properties of Vertical GaN-on-GaN pin Diodes Under Electrical Stress
2025 Longato, S.; Vianello, A.; Fregolent, M.; Wang, D.; Fu, H.; Luo, S.; Zhao, Y.; Buffolo, M.; Rossetto, I.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Spectral components, initial improvement, and degradation of 265 nm UV-C LEDs
2025 De Santi, Carlo; Piva, Francesco; Buffolo, Matteo; Roccato, Nicola; Pilati, Marco; Longato, Simone; Susilo, Norman; Hauer Vidal, Daniel; Muhin, Anton; Sulmoni, Luca; Wernicke, Tim; Kneissl, Michael; Trivellin, Nicola; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
TLP effects on normally-off p-GaN gate power HEMTs with Schottky gate
2025 De Santi, C.; Longato, S. L.; Rossetto, I.; Buffolo, M.; Rampazzo, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Vth and Ron Instability of GaN Power HEMTs with pGaN Gate Under Negative Gate Bias
2025 Longato, S. L.; Favero, D.; Stockman, A.; Nardo, A.; Vanmeerbeek, P.; Tack, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; De Santi, C.; Meneghini, M.
Ageing effects on optical power characteristics and defects in SQW UV-C LEDs
2024 Piva, F.; Buffolo, M.; Pilati, M.; Roccato, N.; Longato, S.; Susilo, N.; Hauer Vidal, D.; Muhin, A.; Sulmoni, L.; Wernicke, T.; Kneissl, M.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Dynamic phenomena in 650V p-GaN technology
2024 Stockman, A.; Nardo, A.; Vanmeerbeek, P.; Tack, M.; Favero, D.; Longato, S.; De Santi, C.; Meneghini, M.
Investigation of degradation dynamics of 265 nm LEDs assisted by EL measurements and numerical simulations
2024 Piva, Francesco; Buffolo, Matteo; Roccato, Nicola; Pilati, Marco; Longato, Simone; Susilo, Norman; Vidal, Daniel Hauer; Muhin, Anton; Sulmoni, Luca; Wernicke, Tim; Kneissl, Michael; Santi, Carlo De; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo