P-Channel GaN FETs on Low-Doped Layers Enabled by Thermal Mg-Diffusion Process: Demonstration and Characterization

Fregolent M.;De Santi C.;Meneghesso G.;Zanoni E.;Meneghini M.
2026
2026
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
WOS:001830749300001
2-s2.0-105045740541
W7169838207
01.01 - Articolo in rivista
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