ROY CHOWDHURY, SAMRAT
ROY CHOWDHURY, SAMRAT
Università di Padova
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Study of Heavy-Ion-Induced Degradation in Si3N4MIM Capacitors for GaN Power Amplifiers
2026 Roy Chowdhury, S.; Rossetto, I.; De Santi, C.; Fregolent, M.; Carlotto, A.; Rampazzo, F.; De Pieri, F.; Pantellini, A.; Natali, M.; Latessa, L.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.
Transient Short-Channel Effects Induced by Si δ Doping in Buffer-Free LG=0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs
2026 De Pieri, F.; De Santi, C.; Rossetto, I.; Carlotto, A.; Roy Chowdhury, S.; Saro, M.; Rampazzo, F.; Stieglauer, H.; Grünenpütt, J.; Sommer, D.; Chen, J. T.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
| Titolo | Data di pubblicazione | Autori | Rivista | Serie | Titolo libro |
|---|---|---|---|---|---|
| Study of Heavy-Ion-Induced Degradation in Si3N4MIM Capacitors for GaN Power Amplifiers | 2026 | Roy Chowdhury S.Rossetto I.De Santi C.Fregolent M.Carlotto A.Rampazzo F.De Pieri F.Meneghesso G.Meneghini M.Zanoni E. + | - | IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS | Proceedings of the 2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) |
| Transient Short-Channel Effects Induced by Si δ Doping in Buffer-Free LG=0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs | 2026 | De Pieri F.De Santi C.Rossetto I.Carlotto A.Roy Chowdhury S.Saro M.Rampazzo F.Meneghini M.Meneghesso G.Zanoni E. + | - | IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS | Proceedings of the 2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) |