Origin of Deep Levels Responsible for Transconductance Overshoot in AlGaN/GaN HEMTs and Impact in Real-Life Operating Conditions
Carlotto A.;De Pieri F.;Rossetto I.;De Santi C.;Fregolent M.;Rampazzo F.;Meneghini M.;Meneghesso G.;Zanoni E.
2026
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