RUZZARIN, MARIA
RUZZARIN, MARIA
Università di Padova
Analysis of threshold voltage instabilities in semi-vertical GaN-on-Si FETs
2020 Mukherjee, K.; Borga, M.; Ruzzarin, M.; De Santi, C.; Stoffels, S.; You, S.; Geens, K.; Liang, H.; Decoutere, S.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Characterization of charge trapping mechanisms in GaN vertical Fin FETs under positive gate bias
2019 Ruzzarin, M.; De Santi, C.; Chiocchetta, F.; Sun, M.; Palacios, T.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.
Degradation Mechanisms of GaN HEMTs with p-Type Gate under Forward Gate Bias Overstress
2018 Ruzzarin, M.; Meneghini, M.; Barbato, A.; Padovan, V.; Haeberlen, O.; Silvestri, M.; Detzel, T.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Degradation Mechanisms of GaN-Based Vertical Devices: A Review
2020 Meneghini, M.; Fabris, E.; Ruzzarin, M.; De Santi, C.; Nomoto, K.; Hu, Z.; Li, W.; Gao, X.; Jena, D.; Xing, H. G.; Sun, M.; Palacios, T.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Degradation of GaN-Based Lateral and Vertical Devices—Challenges and Perspectives
2019 Meneghini, Matteo; DE SANTI, Carlo; Barbato, Alessandro; Borga, Matteo; Canato, Eleonora; Chiocchetta, Francesca; Fabris, Elena; Gao, Zhan; Masin, Fabrizio; Mukherjee, Kalparupa; Nardo, Arianna; Rampazzo, Fabiana; Ruzzarin, Maria; Rzin, Mehdi; Tajalli, Alaleh; Barbato, Marco; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Degradation of vertical GaN FETs under gate and drain stress
2018 Ruzzarin, M.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Sun, M.; Palacios, T.
Degradation of vertical GaN-on-GaN fin transistors: Step-stress and constant voltage experiments
2018 Ruzzarin, M.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Sun, M.; Palacios, T.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Degradation physics of GaN-based lateral and vertical devices
2019 Meneghini, M.; De Santi, C.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; Chiocchetta, Francesca; Fabris, E.; Masin, F.; Nardo, A.; Rampazzo, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Barbato, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Demonstration of UV-Induced Threshold Voltage Instabilities in Vertical GaN Nanowire Array-Based Transistors
2019 Ruzzarin, M.; Meneghini, M.; de Santi, C.; Neviani, A.; Yu, F.; Strempel, K.; Fatahilah, M. F.; Witzigmann, B.; Wasisto, H. S.; Waag, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Dielectric related issues in GaN based MIS HEMTs
2017 Meneghesso, G.; Bisi, D.; Rossetto, I; Ruzzarin, M.; De Santi, C.; Meneghini, Matteo; Zanoni, E.
Evidence of Hot-Electron Degradation in GaN-based MIS-HEMTs Submitted to High Temperature Constant Source Current Stress
2016 Ruzzarin, Maria; Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Van Hove, M.; Stoffels, S.; Wu, T. L.; Decoutere, S.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Exploration of gate trench module for vertical GaN devices
2020 Ruzzarin, M.; Geens, K.; Borga, M.; Liang, H.; You, S.; Bakeroot, B.; Decoutere, S.; De Santi, C.; Neviani, A.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Gallium Nitride power devices: challenges and perspectives
2018 Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; De Santi, C.; Fabris, E.; Rampazzo, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
GaN-based MIS-HEMTs: Impact of cascode-mode high temperature source current stress on NBTI shift
2017 Dalcanale, Stefano; Meneghini, Matteo; Tajalli, Alaleh; Rossetto, Isabella; Ruzzarin, Maria; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Moens, Peter; Banerjee, Abhishek; Vandeweghe, Steven
Gate Reliability of p-GaN Gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
2019 Ge, Mei; Ruzzarin, Maria; Chen, Dunjun; Lu, Hai; Yu, Xinxin; Zhou, Jianjun; De Santi, Carlo; Zhang, Rong; Zheng, Youdou; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Gate Stability and Robustness of In-Situ Oxide GaN Interlayer Based Vertical Trench MOSFETs (OG-FETs)
2019 Ruzzarin, M.; Borga, M.; Zanoni, E.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Ji, D.; Li, W.; Chan, S. H.; Agarwal, A.; Gupta, C.; Keller, S.; Mishra, U. K.; Chowdhury, S.
Highly stable threshold voltage in GaN nanowire FETs: The advantages of p-GaN channel/Al2O3gate insulator
2020 Ruzzarin, M.; De Santi, C.; Yu, F.; Fatahilah, M. F.; Strempel, K.; Wasisto, H. S.; Waag, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Instability of Dynamic- RONand Threshold Voltage in GaN-on-GaN Vertical Field-Effect Transistors
2017 Ruzzarin, M.; Meneghini, M.; Bisi, D.; Sun, M.; Palacios, T.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Negative bias-induced threshold voltage instability in GaN-on-Si power HEMTs
2016 Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Bisi, Davide; Ruzzarin, Maria; Van Hove, M.; Stoffels, S.; Wu, T. L.; Marcon, D.; Decoutere, S.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Positive and negative threshold voltage instabilities in GaN-based transistors
2018 Meneghesso, G.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Ruzzarin, M.; Zanoni, E.