BISI, DAVIDE
BISI, DAVIDE
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Deep Level Effects in N-Polar AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors: Toward Zero Dispersion Effects
2024 Saro, Marco; de Pieri, Francesco; Carlotto, Andrea; Fornasier, Mirko; Rampazzo, Fabiana; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Bisi, Davide; Guidry, Matthew; Keller, Stacia; Mishra, Umesh
Observation of hot electron and impact ionization in N-Polar GaN MIS-HEMTs
2018 Bisi, Davide; De Santi, Carlo; Meneghini, Matteo; Wienecke, Steven; Guidry, Matt; Li, Haoran; Ahmadi, Elaheh; Keller, Stacia; Mishra, Umesh K.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Dielectric related issues in GaN based MIS HEMTs
2017 Meneghesso, G.; Bisi, D.; Rossetto, I; Ruzzarin, M.; De Santi, C.; Meneghini, Matteo; Zanoni, E.
Impact of oxygen precursor flow on the forward bias behavior of MOCVD-Al2O3dielectrics grown on GaN
2017 Chan, Silvia H.; Bisi, Davide; Liu, Xiang; Yeluri, Ramya; Tahhan, Maher; Keller, Stacia; Denbaars, Steven P.; Meneghini, Matteo; Mishra, Umesh K.
Instability of Dynamic- RONand Threshold Voltage in GaN-on-GaN Vertical Field-Effect Transistors
2017 Ruzzarin, M.; Meneghini, M.; Bisi, D.; Sun, M.; Palacios, T.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Positive and negative Vth instabilities in Vertical GaN-on-GaN FinFET
2017 Ruzzarin, Maria; Meneghini, Matteo; Bisi, Davide; DE SANTI, Carlo; Sun, Min; Palacios, Tomas; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Reliability physics of GaN HEMTs for power switching applications: role of the gate structure
2017 Zanoni, Enrico; Barbato, Alessandro; Bisi, Davide; DE SANTI, Carlo; Rampazzo, Fabiana; Rossetto, Isabella; Ruzzarin, Maria; Trivellin, Nicola; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo
Role of deep levels and time-dependent breakdown effects in determining performances and reliability of power GaN devices
2017 Zanoni, Enrico; Barbato, Alessandro; Bisi, Davide; DE SANTI, Carlo; Rossetto, Isabella; Ruzzarin, Maria; Trivellin, Nicola; Chini, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo
Drain current transient and low-frequency dispersion characterizations in AlGaN/GaN HEMTs
2016 Benvegnù, A.; Bisi, Davide; Laurent, S.; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Barataud, D.; Zanoni, Enrico; Quere, R.
Field-dependent degradation mechanisms in GaN-based HEMTs
2016 Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Rossetto, Isabella; Bartholomeus, J.; Rampazzo, Fabiana; DE SANTI, Carlo; Bisi, Davide; Zanoni, Enrico
Negative bias-induced threshold voltage instability in GaN-on-Si power HEMTs
2016 Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Bisi, Davide; Ruzzarin, Maria; Van Hove, M.; Stoffels, S.; Wu, T. L.; Marcon, D.; Decoutere, S.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
On trapping mechanisms at oxide-traps in Al2 O3 /GaN metal-oxide-semiconductor capacitors
2016 Bisi, Davide; Chan, S. H.; Liu, X.; Yeluri, R.; Keller, S.; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Mishra, U. K.
Performance-Limiting Traps in GaN-Based HEMTs: From Native Defects to Common Impurities
2016 Rossetto, I.; Bisi, D.; De Santi, C.; Stocco, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Quality and reliability of in-situ Al2 O3 MOS capacitors for GaN-based power devices
2016 Bisi, Davide; Chan, S. H.; Tahhan, M.; Koksaldi, O. S.; Keller, S.; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Mishra, U. K.
Reliability and parasitic issues in GaN-based power HEMTs: A review
2016 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Bisi, Davide; Stoffels, S.; Van Hove, M.; Decoutere, S.; Zanoni, Enrico
Reliability of Power Devices: Bias-Induced Threshold Voltage Instability and Dielectric Breakdown in GaN MIS-HEMTs
2016 Meneghesso, Gaudenzio; Bisi, Davide; Rossetto, Isabella; Ruzzarin, Maria; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico
Trapping and reliability issues in GaN-based MIS HEMTs with partially recessed gate
2016 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Bisi, Davide; Rossetto, Isabella; Wu, T. L.; Van Hove, M.; Marcon, D.; Stoffels, S.; Decoutere, S.; Zanoni, Enrico
Analysis of off-state leakage mechanisms in GaN-based MIS-HEMTs: Experimental data and numerical simulation
2015 Marino, FABIO ALESSIO; Bisi, Davide; Meneghini, Matteo; Verzellesi, G.; Zanoni, Enrico; Van Hove, M.; You, S.; Decoutere, S.; Marcon, D.; Stoffels, S.; Ronchi, N.; Meneghesso, Gaudenzio
Analysis of slow de-trapping phenomena after a positive gate bias on AlGaN/GaN MIS-HEMTs with in-situ Si3N4/Al2O3 bilayer gate dielectrics
2015 Tian Li, Wu; Denis, Marcon; Nicolo, Ronchi; Benoit, Bakeroot; Shuzhen, You; Steve, Stoffels; Marleen Van, Hove; Bisi, Davide; Meneghini, Matteo; Guido, Groeseneken; Stefaan, Decoutere
Characterization of Charge Trapping Phenomena in GaN-based HEMTs
2015 Bisi, Davide