2DEG Retraction and Potential Distribution of GaN-on-Si HEMTs Investigated Through a Floating Gate Terminal

Rossetto, I.;Meneghini, M.;De Santi, C.;Meneghesso, G.;Zanoni, E.
2018
2018
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
WOS:000427856300006
2-s2.0-85042871992
01.01 - Articolo in rivista
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