Modeling of the gate leakage and forward gate reliability in Schottky-gate p-GaN HEMTs

Carlo De Santi;Manuel Fregolent;Mirco Boito;Matteo Buffolo;Eleonora Canato;Isabella Rossetto;Gaudenzio Meneghesso;Enrico Zanoni;Matteo Meneghini
2024
2024
Proceedings of the 8th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing 2024
8th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing 2024 (EDTM 2024)
04.01 - Contributo in atti di convegno
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