RAMPAZZO, FABIANA
RAMPAZZO, FABIANA
24 Hours Stress Test and Failure Analysis of 0.25 μm AlGaN/GaN HEMTs
2018 Rzin, M.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Grünenpütt, J.; Jung, H.; Lambert, B.; Riepe, K.; Blanck, H.; Graff, A.; Altmann, F.; Simon-Najasek, M.; Poppitz, D.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
A comprehensive reliability evaluation of high-performance AlGaN/GaN HEMTs for space applications
2016 DE SANTI, Carlo; Dalcanale, Stefano; Stocco, Antonio; Rampazzo, Fabiana; Gerardin, Simone; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Grünenpütt, Jan; Lambert, Benoit; Schauwecker, Bernd; Blanck, Hervé; Barnes, Andrew; Zanoni, Enrico
A review of failure modes and mechanisms of GaN-based HEMT's
2007 Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; G., Verzellesi; Danesin, Francesca; Meneghini, Matteo; Rampazzo, Fabiana; Tazzoli, Augusto; Zanon, Franco
Analysis of DC and rf degradation of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors based on pulsed measurements and spectroscopic techniques
2010 Zanoni, Enrico; A., Chini; Stocco, Antonio; I., Rossetto; Meneghini, Matteo; Rampazzo, Fabiana; Ronchi, Nicolo'; Tazzoli, Augusto; G., Verzellesi; Meneghesso, Gaudenzio
Analysis of High-Electric-Field Degradation in ALGAN/GAN HEMTs
2007 Faqir, M; Chini, A; Verzellesi, G; Fantini, F; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Kordos, P.
Analysis of hot carrier aging degradation in GaN MESFETs
2004 Pierobon, Roberto; Rampazzo, Fabiana; Pacetta, Domenico; C., Gaquiere; D., Theron; B., Boudart; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Analysis of trapping and detrapping mechanisms in 0.15 μm-gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors: explanation of dynamic behaviour of threshold voltage and on-resistance
2023 DE PIERI, Francesco; Fornasier, Mirko; Gao, Zhan; Rampazzo, Fabiana; DE SANTI, Carlo; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Challenges towards highly reliable GaN power transistors
2018 Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; De Santi, C.; Fabris, E.; Rampazzo, F.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Characterization and Analysis of Trap-Related Effects in AlGaN-GaN HEMTs
2007 Faqir, M; Verzellesi, G; Fantini, F; Danesin, Francesca; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Cavallini, A; Castaldini, A; Labat, N; Dua, C.
Characterization Of Gan-Based Single- And Double-Heterostructure Devices
2012 Zanandrea, Alberto; E., Bahat Treidel; P., Ivo; Rampazzo, Fabiana; Stocco, Antonio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; J., Wuerfl; Meneghesso, Gaudenzio
Characterization of High-Voltage Charge-Trapping Effects in GaN-based Power HEMTs
2014 Bisi, Davide; Stocco, Antonio; Meneghini, Matteo; Rampazzo, Fabiana; Cester, Andrea; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Charge trapping in 0.1 μm AlGaN/GaN RF HEMTs: Dependence on barrier properties, voltage and temperature
2021 Chiocchetta, F.; De Santi, C.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Combined electro-optical analysis of trapping effects in AlGaN/GaN HEMTs
2011 Meneghini, Matteo; Ronchi, Nicolo'; Stocco, Antonio; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; U. K., Mishra; Y., Pei; Zanoni, Enrico
Comparison of the performances of an InAlN/GaN HEMT with a Mo/Au gate or a Ni/Pt/Au gate
2013 Rossetto, Isabella; Rampazzo, Fabiana; Silvestri, Riccardo; Zanandrea, Alberto; C., Dua; S., Delage; M., Oualli; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Correlation between Drain Current Transient and Double-Pulse Measurements in AlGaN/GaN HEMT Trap Analysis
2012 Bisi, Davide; Stocco, Antonio; Rampazzo, Fabiana; Meneghini, Matteo; F., Soci; A., Chini; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Current collapse and high-electric-field reliability of unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs
2006 Meneghesso, Gaudenzio; Rampazzo, Fabiana; Kordos, P; Verzellesi, G; Zanoni, Enrico
Current Collapse in AlGaN/GaN HEMT's analyzed by means of 2D device simulation
2003 Meneghesso, Gaudenzio; G., Verzellesi; Pierobon, Roberto; Rampazzo, Fabiana; A., Chini; C., Canali; Zanoni, Enrico
DC and Pulsed Characterization of GaN-based Single- and Double- Heterostructure Devices
2011 Zanandrea, Alberto; Rampazzo, Fabiana; Stocco, Antonio; Zanoni, Enrico; Bisi, Davide; F., Soci; A., Chini; P., Ivo; J., Wuerfl; Meneghesso, Gaudenzio
Deep level effects and degradation of 0.15 μm RF AlGaN/GaN HEMTs with Mono-layer and Bi-layer AlGaN backbarrier
2022 Gao, Z.; Chiocchetta, F.; De Santi, C.; Modolo, N.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Blanck, H.; Stieglauer, H.; Sommer, D.; Benoit, L.; Grunenputt, J.; Kordina, O.; Chen, J. -T.; Jacquet, J. -C.; Lacam, C.; Piotrowicz, S.
Deep Level Effects in N-Polar AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors: Toward Zero Dispersion Effects
2024 Saro, Marco; de Pieri, Francesco; Carlotto, Andrea; Fornasier, Mirko; Rampazzo, Fabiana; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Bisi, Davide; Guidry, Matthew; Keller, Stacia; Mishra, Umesh