Analysis of trapping and detrapping mechanisms in 0.15 μm-gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors: explanation of dynamic behaviour of threshold voltage and on-resistance
Francesco De Pieri;Mirko Fornasier;Zhan Gao;Fabiana Rampazzo;Carlo De Santi;Matteo Meneghini;Gaudenzio Meneghesso;Enrico Zanoni
2023
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