GASPAROTTO, ANDREA
GASPAROTTO, ANDREA
Dipartimento di Fisica e Astronomia "Galileo Galilei" - DFA
A new method for CdSexTe1-x band grading for high efficiency thin-absorber CdTe solar cells
2021 Artegiani, E.; Gasparotto, A.; Punathil, P.; Kumar, V.; Barbato, M.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Piccinelli, F.; Romeo, A.
Al-o Complex-formation In Ion-implanted Czochralski and Floating-zone Si Substrates
1993 A., Laferla; L., Torrisi; G., Galvagno; E., Rimini; G., Ciavola; Carnera, Alberto; Gasparotto, Andrea
Al-o Interactions In Ion-implanted Crystalline Silicon
1994 G., Galvagno; A., Laferla; C., Spinella; F., Priolo; V., Raineri; L., Torrisi; E., Rimini; Carnera, Alberto; Gasparotto, Andrea
Analysis of a novel CuCl2 back contact process for improved stability in CdTe solar cells
2019 Artegiani, E.; Menossi, D.; Shiel, H.; Dhanak, V.; Major, J. D.; Gasparotto, A.; Sun, K.; Romeo, A.
Analysis of CdSe as an alternative buffer layer for Sb2Se3 solar cells
2023 Torabi, Narges; Artegiani, Elisa; Gasparotto, Andrea; Piccinelli, Fabio; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Romeo, Alessandro
Annealing behavior of high temperature implanted Fe impurities in n-InP
2004 Cesca, Tiziana; Gasparotto, Andrea; B., Fraboni; F., Priolo
Assessment of electrical and optical properties of heavily Fe-implanted semi-insulating InP
2001 Gasparotto, Andrea; B., Fraboni; F., Priolo; F., Enrichi; A., Mazzone; G., Scamarcio; M., Troccoli; R., Mosca
Atomic environment of Fe following high-temperature implantation in InP
2003 Cesca, Tiziana; Gasparotto, Andrea; Mattei, Giovanni; Rampazzo, Vanessa; F., Boscherini; B., Fraboni; F., Priolo; G., Ciatto; F., D'Acapito; C., Bocchi
Axial Channeling of Boron Ions Into Silicon
1992 A., Laferla; G., Galvagno; V., Raineri; R., Setola; E., Rimini; Carnera, Alberto; Gasparotto, Andrea
Changes in the Mg profile and in dislocations induced by high temperature annealing of blue LEDsGallium Nitride Materials and Devices VIII
2013 Meneghini, Matteo; Trivellin, Nicola; Berti, Marina; Cesca, Tiziana; Gasparotto, Andrea; A., Vinattieri; F., Bogani; D., Zhu; C. J., Humphreys; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Channeling effects in high energy ion implantation: Si(N)
1993 Berti, Marina; Brusatin, Giovanna; Carnera, Alberto; Gasparotto, Andrea
Channeling Effects In High-energy Implantation of N+ In Silicon
1992 Gasparotto, Andrea; Carnera, Alberto; S., Acco; A., Laferla
CIGS thin films grown by hybrid sputtering-evaporation method: Properties and PV performance
2018 Acciarri, Maurizio; Le Donne, Alessia; Marchionna, Stefano; Meschia, Maurilio; Parravicini, Jacopo; Gasparotto, Andrea; Binetti, Simona
Correlation among structural, electrical, and deep-level properties of Fe centers implanted in InP
2003 Gasparotto, Andrea; Cesca, Tiziana; B., Fraboni; F., Priolo
Deep level related yellow luminescence in p-type GaN grown by MBE on (0001) sapphire
2000 G., Salviati; N., Armani; C., Zanottifregonara; E., Gombia; M., Albrecht; H. P., Strunk; M., Mayer; M., Kamp; Gasparotto, Andrea
Deep level thermal evolution in Fe implanted InP
2007 Cesca, Tiziana; Gasparotto, Andrea; E., Piana; B., Fraboni
Deep levels characterization in high temperature iron implanted InP
2005 B., Fraboni; Gasparotto, Andrea; Cesca, Tiziana; Verna, Adriano; G., Impellizzeri; F., Priolo
Deep levels controlling the electrical properties of Fe-implanted GaInP/GaAs
2007 B., Fraboni; E., Piana; Cesca, Tiziana; Gasparotto, Andrea; M., Longo; R., Jakomin; L., Tarricone
Deep-level electroluminescence at 3.5 µm from semi-insulating InP layers ion implanted with Fe
2001 Troccoli, M.; Scamarcio, G.; Fraboni, B.; Priolo, F.; Gasparotto, Andrea
Defect characterization in InP substrates implanted with 2 MeV Fe ions
1997 C., Frigeri; Carnera, Alberto; B., Fraboni; Gasparotto, Andrea; A., Cassa; F., Priolo; A., Camporese; G., Rossetto