GAO, ZHAN
GAO, ZHAN
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Analysis of trapping and detrapping mechanisms in 0.15 μm-gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors: explanation of dynamic behaviour of threshold voltage and on-resistance
2023 DE PIERI, Francesco; Fornasier, Mirko; Gao, Zhan; Rampazzo, Fabiana; DE SANTI, Carlo; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Deep level effects and degradation of 0.15 μm RF AlGaN/GaN HEMTs with Mono-layer and Bi-layer AlGaN backbarrier
2022 Gao, Z.; Chiocchetta, F.; De Santi, C.; Modolo, N.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Blanck, H.; Stieglauer, H.; Sommer, D.; Benoit, L.; Grunenputt, J.; Kordina, O.; Chen, J. -T.; Jacquet, J. -C.; Lacam, C.; Piotrowicz, S.
Deep levels effects and on-wafer reliability of 0.15 um InAlN/GaN and InAlGaN/GaN HEMTs with AlGaN backbarrier for RF applications
2022 Gao, Z.; Chiocchetta, F.; Fornasier, M.; Saro, M.; Stramare, E.; Tonello, A.; Sharma, C.; Modolo, N.; De Santi, C.; Rampazzo, F.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Jacquet, J-C.; Lacam, C.; Piotrowicz, S.; Oualli, M.; Michel, N.; Aroulanda, S.
Degradation mechanism of 0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs: effects of hot electrons
2020 Gao, Z.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Chiocchetta, F.; Marcon, D.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Degradation of GaN-Based Lateral and Vertical Devices—Challenges and Perspectives
2019 Meneghini, Matteo; DE SANTI, Carlo; Barbato, Alessandro; Borga, Matteo; Canato, Eleonora; Chiocchetta, Francesca; Fabris, Elena; Gao, Zhan; Masin, Fabrizio; Mukherjee, Kalparupa; Nardo, Arianna; Rampazzo, Fabiana; Ruzzarin, Maria; Rzin, Mehdi; Tajalli, Alaleh; Barbato, Marco; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Dynamic Behavior of Threshold Voltage and ID–VDS Kink in AlGaN/GaN HEMTs Due to Poole–Frenkel Effect
2023 Gao, Zhan; De Santi, Carlo; Rampazzo, Fabiana; Saro, Marco; Fornasier, Mirko; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Zanoni, Enrico
Failure Physics and Reliability of GaN-Based HEMTs for Microwave and Millimeter-Wave Applications: A Review of Consolidated Data and Recent Results
2022 Zanoni, E; Rampazzo, F; De Santi, C; Gao, Z; Sharma, C; Modolo, N; Verzellesi, G; Chini, A; Meneghesso, G; Meneghini, M
Harmonic generation in metal-insulator and metal-insulator-metal nanostructures
2019 Hussain, M. M. R.; Agha, I.; Gao, Z.; De Ceglia, D.; Vincenti, M. A.; Sarangan, A.; Scalora, M.; Banerjee, P.; Haus, J. W.
Hot-electron trapping and electric field redistribution in 0.15 µm RF AlGaN/GaN HEMT with single or double layer AlGaN backbarrier
2022 Chiocchetta, F.; Gao, Z.; Fornasier, M.; Modolo, N.; De Santi, C.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Impact of an AlGaN spike in the buffer in 0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs during step stress
2021 Gao, Z.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Modolo, N.; De Santi, C.; Blanck, H.; Stieglauer, H.; Sommer, D.; Grunenputt, J.; Kordina, O.; Chen, J. -T.; Jacquet, J. -C.; Lacam, C.; Piotrowicz, S.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Investigation into trapping modes and threshold instabilities of state-of-art commercial GaN HEMTs
2019 Mukherjee, K.; De Santi, C.; Rzin, M.; Gao, Z.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.
Microstructural Degradation Investigations of OFF-State Stressed 0.15 um RF AlGaN/GaN HEMTs: Failure Mode related Breakdown
2021 Sana, P; Graff, A; Simon-Najasek, M; Hubner, S; Gao, Z.; Rampazzo, F; De Santi, C; Lambert, B; Meneghesso, G; Zanoni, E; Meneghini, M; Altmann, F
Microwave and Millimeter-Wave GaN HEMTs: Impact of Epitaxial Structure on Short-Channel Effects, Electron Trapping, and Reliability
2023 Zanoni, Enrico; Santi, Carlo De; Gao, Zhan; Buffolo, Matteo; Fornasier, Mirko; Saro, Marco; Pieri, Francesco De; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Zagni, Nicolò; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni
Novel approach of combined planar and cross-sectional defect analysis of stressed normally-on HEMT devices with leaky Schottky gates
2023 Graff, A.; Simon-Najasek, M.; Hübner, S.; Lejoyeux, M.; Altmann, F.; Gao, Zhan; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Lambert, B.
Reliability and Dynamic Performance of Gallium Nitride-based Devices for Power Applications
2019 De Santi, C.; Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; Chiocchetta, F.; Fabris, E.; Gao, Z.; Masin, F.; Mukherjee, K.; Nardo, A.; Ruzzarin, M.; Rzin, M.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Reliability comparison of AlGaN/GaN HEMTs with different carbon doping concentration
2019 Gao, Z.; Meneghini, M.; Rampazzo, F.; Rzin, M.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Review on the degradation of GaN-based lateral power transistors
2021 De Santi, C.; Buffolo, M.; Rossetto, I.; Bordignon, T.; Brusaterra, E.; Caria, A.; Chiocchetta, F.; Favero, D.; Fregolent, M.; Masin, F.; Modolo, N.; Nardo, A.; Piva, F.; Rampazzo, F.; Sharma, C.; Trivellin, N.; Gao, Z.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Role of Carbon in dynamic effects and reliability of 0.15 um AlGaN/GaN HEMTs for RF power amplifiers
2022 De Santi, C; Zanoni, E; Meneghini, M; Meneghesso, G; Rampazzo, F; Gao, Z; Sharma, C; Chiocchetta, F; Verzellesi, G; Chini, A; Cioni, M; Zagni, N; Lanzieri, C; Pantellini, A; Peroni, M; Latessa, L
Short Term Reliability and Robustness of ultra-thin barrier, 110 nrn-gate AlN/GaN HEMTs
2020 Gao, Z.; Meneghini, M.; Harrouche, K.; Kabouche, R.; Chiocchetta, F.; Okada, E.; Rampazzo, F.; De Santi, C.; Medjdoub, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Thermally-activated failure mechanisms of 0.25 μm RF AlGaN/GaN HEMTs submitted to long-term life tests
2023 Gao, Z; Chiocchetta, F; Rampazzo, F; De Santi, C; Fornasier, M; Meneghesso, G; Meneghini, M; Zanoni, E