Deep level effects and degradation of 0.15 μm RF AlGaN/GaN HEMTs with Mono-layer and Bi-layer AlGaN backbarrier
Gao Z.;Chiocchetta F.;De Santi C.;Modolo N.;Rampazzo F.;Meneghini M.;Meneghesso G.;Zanoni E.;
2022
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