Hot-electron trapping and electric field redistribution in 0.15 µm RF AlGaN/GaN HEMT with single or double layer AlGaN backbarrier

F. Chiocchetta;Z. Gao;M. Fornasier;N. Modolo;C. De Santi;F. Rampazzo;M. Meneghini;G. Meneghesso;E. Zanoni
2022
2022
Proceedings of the 2022 International Workshop on Nitride Semiconductors
2022 International Workshop on Nitride Semiconductors
04.01 - Contributo in atti di convegno
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