Deep levels effects and on-wafer reliability of 0.15 um InAlN/GaN and InAlGaN/GaN HEMTs with AlGaN backbarrier for RF applications

Z. Gao;F. Chiocchetta;M. Fornasier;M. Saro;E. Stramare;A. Tonello;C. Sharma;N. Modolo;C. De Santi;F. Rampazzo;G. Meneghesso;M. Meneghini;E. Zanoni;
2022
2022
Proceedings of the 2022 International Workshop on Nitride Semiconductors
2022 International Workshop on Nitride Semiconductors
04.01 - Contributo in atti di convegno
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