BARBATO, ALESSANDRO
BARBATO, ALESSANDRO
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
A case study of a motorised flexible IOD platform: the UNISAT-7 and REGULUS mission
2021 Milza, F; Toson, E; Bellomo, N; Di Roberto, R; Sparvieri, N; Graziani, F; Trezzolani, F; Manente, M; Paulon, D; Barbato, A; Magarotto, M; Mantellato, R; Cappellini, L; Selmo, A; Minute, M; Duzzi, M; Pavarin, D
E-REGULUS: development of a 150 W prototype of magnetically enhanced plasma thruster
2021 Duzzi, Matteo; Manente, Marco; Trezzolani, Fabio; Bellomo, Nicolas; Barbato, Alessandro; Cappellini, Lorenzo; Minute, Marco; Mantellato, Riccardo; Magarotto, Mirko; Paulon, Devis; Schiavon, Alessandro; Scalzi, Davide; Selmo, ANTONIO FRANCO; Toson, Elena; Milza, Fabiana; Bianchi, Luca; Maria Di Cara, Davina; Pavarin, Daniele
A novel on-wafer approach to test the stability of GaN-based devices in hard switching conditions: Study of hot-electron effects
2020 Modolo, N.; Meneghini, M.; Barbato, A.; Nardo, A.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Curatola, G.
Charge Trapping and Stability of E-Mode p-gate GaN HEMTs Under Soft- and Hard- Switching Conditions
2020 Masin, F.; Meneghini, M.; Canato, E.; Barbato, A.; De Santi, C.; Stockman, A.; Banerjee, A.; Moens, P.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Fast System to measure the dynamic onresistance of on-wafer 600 v normally off GaN HEMTs in hard-switching application conditions
2020 Barbato, A.; Barbato, M.; Meneghini, M.; Silvestri, M.; Detzel, T.; Haeberlen, O.; Spiazzi, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Non thermally-activated transients and buffer traps in GaN transistors with p-type gate: A new method for extracting the activation energy
2020 Nardo, A.; Meneghini, M.; Barbato, A.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Sicre, S.; Sayadi, L.; Prechtl, G.; Curatola, G.
Storage and release of buffer charge in GaN-on-Si HEMTs investigated by transient measurements
2020 Nardo, A.; Meneghini, M.; Barbato, A.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Sicre, S.; Sayadi, L.; Prechtl, G.; Curatola, G.
Degradation of GaN-Based Lateral and Vertical Devices—Challenges and Perspectives
2019 Meneghini, Matteo; DE SANTI, Carlo; Barbato, Alessandro; Borga, Matteo; Canato, Eleonora; Chiocchetta, Francesca; Fabris, Elena; Gao, Zhan; Masin, Fabrizio; Mukherjee, Kalparupa; Nardo, Arianna; Rampazzo, Fabiana; Ruzzarin, Maria; Rzin, Mehdi; Tajalli, Alaleh; Barbato, Marco; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Degradation physics of GaN-based lateral and vertical devices
2019 Meneghini, M.; De Santi, C.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; Chiocchetta, Francesca; Fabris, E.; Masin, F.; Nardo, A.; Rampazzo, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Barbato, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
ESD-failure of E-mode GaN HEMTs: Role of device geometry and charge trapping
2019 Canato, E.; Meneghini, M.; Nardo, A.; Masin, F.; Barbato, A.; Barbato, M.; Stockman, A.; Banerjee, A.; Moens, P.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Power GaN HEMT degradation: From time-dependent breakdown to hot-electron effects
2019 Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; De Santi, C.; Barbato, M.; Stoffels, S.; Zhao, M.; Posthuma, N.; Decoutere, S.; Haeberlen, O.; Detzel, T.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
REGULUS: Iodine Fed Plasma Propulsion System for Small Satellites
2019 Manente, Marco; Trezzolani, Fabio; Mantellato, Riccardo; Scalzi, Davide; Alessandro, Schiavon; Souhair, Nabil; Duzzi, Matteo; Barato, Francesco; Cappellini, Lorenzo; Barbato, Alessandro; Devis, Paulon; Selmo, ANTONIO FRANCO; Bellomo, Nicolas; Gloder, Alessia; Elena, Toson; Minute, Marco; Magarotto, Mirko; Pavarin, Daniele
Reliability and Dynamic Performance of Gallium Nitride-based Devices for Power Applications
2019 De Santi, C.; Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; Chiocchetta, F.; Fabris, E.; Gao, Z.; Masin, F.; Mukherjee, K.; Nardo, A.; Ruzzarin, M.; Rzin, M.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Challenges towards highly reliable GaN power transistors
2018 Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; De Santi, C.; Fabris, E.; Rampazzo, F.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Gallium Nitride power devices: challenges and perspectives
2018 Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; De Santi, C.; Fabris, E.; Rampazzo, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
On Wafer Application Testing for 600 V E-mode GaN HEMTs in Boost Regime
2018 Barbato, A.; Barbato, M.; Meneghini, M.; Silvestri, M.; Detzel, T.; Haeberlen, O.; Spiazzi, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Recent Advancements in Power GaN Reliability
2018 De Santi, C.; Meneghini, M.; Borga, M.; Ruzzarin, M.; Canato, E.; Tajalli, A.; Barbato, A.; Fabris, E.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Reliability and dynamic properties of GaN devices
2018 Barbato, Alessandro
Reliability Issues in Lateral and Vertical GaN FETs for Power Electronics
2018 Meneghesso, G.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Barbato, A.; Barbato, M.; Borga, M.; Canato, E.; Fabris, E.; Masin, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Zanoni, E.
Study of the stability of GaN-HEMTs with p-type Gate under forward Gate Bias
2018 Ruzzarin, M.; Meneghini, M.; Barbato, A.; Padovan, Valeria; Haeberlen, O.; Silvestri, M.; Detzel, T.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.