FAVERO, DAVIDE
FAVERO, DAVIDE
Università di Padova
A Review of SiC Commercial Devices for Automotive: Properties and Challenges
2023 Marcuzzi, Alberto; Favero, Davide; DE SANTI, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Experimental and Numerical Analysis of OFFState Bias Induced Instabilities in Vertical GaNon-Si Trench MOSFETs
2024 Zagni, Nicolò; Fregolent, Manuel; Verzellesi, Giovanni; Bergamin, Francesco; Favero, Davide; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Huber, Christian; Meneghini, Matteo; Pavan, Paolo
GaN Vertical Devices: challenges for high performance and stability
2023 Meneghini, Matteo; Fregolent, Manuel; Zagni, Nicolò; DE SANTI, Carlo; Bahat Treidel, Eldad; Brusaterra, Enrico; Brunner, Frank; Hilt, Oliver; Christianhuber, ; Buffolo, Matteo; Marcuzzi, Alberto; Favero, Davide; Del Fiol, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Pavan, Paolo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
GaN-on-Si Power HEMTs for Automotive: Current Status and Perspectives
2023 Favero, D.; Marcuzzi, A.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
High-Temperature PBTI in Trench-Gate Vertical GaN Power MOSFETs: Role of Border and Semiconductor Traps
2023 Favero, D; Cavaliere, A; De Santi, C; Borga, M; Goncalez, W; Geens, K; Bakeroot, B; Decoutere, S; Meneghesso, G; Zanoni, E; Meneghini, M
Impact of doping and geometry on breakdown voltage of semi-vertical GaN-on-Si MOS capacitors
2022 Favero, D.; De Santi, C.; Mukherjee, K.; Borga, M.; Geens, K.; Chatterjee, U.; Bakeroot, B.; Decoutere, S.; Rampazzo, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Influence of Drain and Gate Potential on Gate Failure in Semi-Vertical GaN-on-Si Trench MOSFETs
2022 Favero, D.; De Santi, C.; Mukherjee, K.; Geens, K.; Borga, M.; Bakeroot, B.; You, S.; Decoutere, S.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Physical insights into trapping effects on vertical GaN-on-Si trench MOSFETs from TCAD
2024 Zagni, Nicolò; Fregolent, Manuel; Fiol, Andrea Del; Favero, Davide; Bergamin, Francesco; Verzellesi, Giovanni; Santi, Carlo De; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Huber, Christian; Meneghini, Matteo; Pavan, Paolo
Recovery of drain-induced threshold voltage shift by positive gate bias in GaN power HEMTs with p-GaN gate
2024 Favero, D.; De Santi, C.; Nardo, A.; Dixit, A.; Vanmeerbeek, P.; Stockman, A.; Tack, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Review and Outlook on GaN and SiC Power Devices: Industrial State-of-the-Art, Applications, and Perspectives
2024 Buffolo, M.; Favero, D.; Marcuzzi, A.; Santi, Carlo De; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Review on the degradation of GaN-based lateral power transistors
2021 De Santi, C.; Buffolo, M.; Rossetto, I.; Bordignon, T.; Brusaterra, E.; Caria, A.; Chiocchetta, F.; Favero, D.; Fregolent, M.; Masin, F.; Modolo, N.; Nardo, A.; Piva, F.; Rampazzo, F.; Sharma, C.; Trivellin, N.; Gao, Z.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
RON and VTH Extraction in Hard-Switched E-mode GaN HEMTs: Impact of Passivation and Layout
2024 Favero, D.; De Santi, C.; Stockman, A.; Nardo, A.; Vanmeerbeek, P.; Tack, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Trade-off between gate leakage current and threshold voltage stability in power HEMTs during ON-state and OFF-state stress
2023 Favero, D.; De Santi, C.; Stockman, A.; Nardo, A.; Vanmeerbeek, P.; Tack, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Vth stability and gate leakage current trade-off in p-GaN gate power HEMTs during on- and off-state stress
2024 Favero, Davide; DE SANTI, Carlo; Stockman, Arno; Nardo, Arianna; Vanmeerbeek, Piet; Tack, Marnix; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo