Influence of Drain and Gate Potential on Gate Failure in Semi-Vertical GaN-on-Si Trench MOSFETs

Favero D.;De Santi C.;Meneghesso G.;Zanoni E.;Meneghini M.
2022
2022
Proceedings of 2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
WOS:000922926400165
2-s2.0-85130684800
978-1-6654-7950-9
04.01 - Contributo in atti di convegno
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