MENEGHINI, MATTEO
MENEGHINI, MATTEO
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Changes in the extraction and collection efficiency of GaN-based MQW solar cells under optical step-stress
2025 Nicoletto, M.; Bertin, S.; Caria, A.; Roccato, N.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Current Collapse in Buffer-Free GaN-on-SiC Power Transistors: Maxwell-Wagner Effect and Related Model
2025 Cavaliere, Alberto; Modolo, Nicola; Santi, Carlo De; Koller, Christian; Ostermaier, Clemens; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Öberg, Olof; Wang, Qin; Chen, Ding Yuan; Lundskog, Anders; Chen, Jr-Tai; Meneghini, Matteo
Efficiency- and lifetime-limiting effects of commercially available UVC LEDs: a review
2025 Onushkin, Grigory; Ruschel, Jan; Piva, Francesco; Buffolo, Matteo; Rass, Jens; Davis, Lynn; Trivellin, Nicola; De Santi, Carlo; Van Driel, Willem; Meneghini, Matteo
Enhanced Gate Reliability of p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs Due to Gate Hole Injection and Recombination
2025 Fregolent, Manuel; De Santi, Carlo; Boito, Mirco; Disarò, Michele; Pirani, Alessio; Eloisa Castagna, Maria; Miccoli, Cristina; Pizzo, Giansalvo; Rossetto, Isabella; Cerati, Lorenzo; Iucolano, Ferdinando; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Evidence for double degradation regime in off-state stressed 100 V GaN transistors: From dielectric failure to subthreshold current increase
2025 Fraccaroli, R.; Fregolent, M.; Boito, M.; De Santi, C.; Canato, E.; Rossetto, I.; Castagna, M. E.; Miccoli, C.; Russo, A.; Iucolano, F.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Hail Damage Investigation in Heterojunction Silicon Photovoltaic Modules: A Real-World Case Study
2025 Nicoletto, M.; Panizzon, D.; Caria, A.; Trivellin, N.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Impact of drain-source leakage on the dynamic Ron of power HEMTs with p-GaN gate
2025 Longato, S. L.; Favero, D.; Stockman, A.; Nardo, A.; Vanmeerbeek, P.; Tack, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; De Santi, C.; Meneghini, M.
Interface-related VTH shift of SiC MOSFETs during constant current stress extracted from charge pumping measurements
2025 Marcuzzi, A.; Avramenko, M.; De Santi, C.; Moens, P.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Investigating the optical degradation of InAs quantum dot lasers on silicon through combined electro-optical characterization and gain measurements
2025 Zenari, M.; Novarese, M.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Norman, J.; Hughes, E. T.; Bowers, J. E.; Herrick, R. W.; Gioannini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Long-term (8000 h) reliability and failures of high-power LEDs for outdoor lighting stressed at high ambient temperatures
2025 Caria, A.; Fraccaroli, R.; Pierobon, G.; Castellaro, T.; Huang, A.; Magnien, J.; Rosc, J.; Lipák, G.; Hantos, G.; Hegedüs, J.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Trivellin, N.; Zanoni, E.; Poppe, A.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.
Long-Term Analysis of Temperature and Current-Dependent Degradation in Green High-Power Light-Emitting Diodes
2025 Herzog, Alexander; Buffolo, Matteo; Piva, Francesco; Benkner, Simon; Zandi, Babak; Balasus, Jens; Myland, Paul; Wirth, Felix; Van Driel, Willem D.; Meneghini, Matteo; Khanh, Tran Quoc
Modeling Cracks in Silicon-Heterojunction Photovoltaic Modules: A Real-World Case Study
2025 Nicoletto, Marco; Panizzon, Davide; Caria, Alessandro; Trivellin, Nicola; De Santi, Carlo; Buffolo, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Modeling the capacitance–voltage characteristics of AlGaN-based UV-C LEDs
2025 Roccato, N.; Piva, F.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Trivellin, N.; Schilling, M.; Muhin, A.; Höpfner, J.; Guttmann, M.; Wernicke, T.; Kneissl, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
OFF-state breakdown and threshold voltage stability of vertical GaN-on-Si trench MOSFETs
2025 Fregolent, M.; Bergamin, F.; Favero, D.; De Santi, C.; Cester, A.; Huber, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Recoverable degradation of FAPbBr3 perovskite solar cells under reverse-bias: A combined electro-optical investigation
2025 Tormena, N.; Caria, A.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Cester, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Matteocci, F.; Di Carlo, A.; Trivellin, N.; Meneghini, M.
Self-Induced Photoionization of Traps in Buffer-Free AlGaN/GaN HEMTs
2025 De Pieri, F.; Fornasier, M.; Gao, Z.; Fregolent, M.; De Santi, C.; Rampazzo, F.; Putcha, V.; Riet, E. V. D.; Hartskeerl, D.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.
Solid State Lighting Systems for horticulture: Impact of LED degradation on light spectrum and intensity
2025 Trivellin, N.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Buffolo, M.; Pierobon, G.; Zanoni, E.; Caria, A.; Fraccaroli, R.; Meneghini, M.
Study of trapping mechanisms affecting AlGaN/GaN HEMTs adopting AlGaN back-barriers with different aluminum concentrations
2025 Carlotto, Andrea; Rampazzo, Fabiana; Saro, Marco; De Pieri, Francesco; Fregolent, Manuel; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico
Systematic analysis of the trapping and reliability of Al2O3/GaN MOS capacitors with different atomic layer deposition techniques
2025 Fregolent, Manuel; Tomasi, Marco; De Santi, Carlo; Buffolo, Matteo; Tadmor, Liad; Brusaterra, Enrico; Treidel, Eldad Bahat; Cester, Andrea; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Ultra-fast recovery transients in GaN MIS-HEMT submitted to OFF-state stress
2025 Cavaliere, A.; Modolo, N.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.