MENEGHESSO, GAUDENZIO
MENEGHESSO, GAUDENZIO
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Deep-Level Effects in Back-Barrier-Scaled GaN HEMTs
2026 De Pieri, F.; Carlotto, A.; Fregolent, M.; Cavaliere, A.; Saro, M.; Rampazzo, F.; De Santi, C.; Zhan, V. G.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.
Experimental Evidence of Sustainable Avalanche Operation in E-Mode GaN HEMTs
2026 Fraccaroli, R.; Dell'Andrea, M.; Fregolent, M.; Boito, M.; Longato, S. L.; De Santi, C.; Rossetto, I.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Miccoli, C.; Russo, A.; Castagna, M. E.; Iucolano, F.; Meneghini, M.
Identification of boron-related traps via capacitance spectroscopy in diamond Schottky diodes
2026 Biasin, G.; Fregolent, M.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Bassaler, J.; Maurya, V.; Letellier, J.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Verzellesi, G.; Chini, A.; Meneghini, M.
Modeling Leakage Current Variations Starting From Threshold Voltage Shift in SiC MOSFETs Submitted to Positive Gate Stress
2026 Zappalà, G.; Marcuzzi, A.; De Santi, C.; Avramenko, M.; Moens, P.; Feng, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Modeling the Changes in the Current-Voltage Characteristics of Vertical GaN-on-GaN p-i-n Diodes Under Electrical Stress
2026 Vianello, A. M.; Longato, S. L.; Fregolent, M.; Rampazzo, F.; Buffolo, M.; Wang, D.; Da, B.; Fu, H.; Luo, S.; Chang, C.; Zhao, Y.; Rossetto, I.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Optical Degradation of 845 nm VCSELs With Different Oxide Apertures for Silicon Photonics
2026 Zenari, M.; Buffolo, M.; Perale, F.; De Santi, C.; Goyvaerts, J.; Grabowski, A.; Gustavsson, J. S.; Baets, R.; Roelkens, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
P-Channel GaN FETs on Low-Doped Layers Enabled by Thermal Mg-Diffusion Process: Demonstration and Characterization
2026 Fregolent, M.; Sarkar, B.; Lu, S.; Wang, J.; Watanabe, H.; Woong, K.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Honda, Y.; Amano, H.; Meneghini, M.
Quantitative modeling of threshold instability in β-Ga2O3 finFETs through electro-optical investigation
2026 Fregolent, M.; Piva, F.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Li, W.; Nomoto, K.; Hu, Z.; Jena, D.; Xing, H. G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
720 V quasi-vertical GaN-on-silicon p–n diodes with surge capability fabricated using selective area growth
2025 El Amrani, Mohammed; Lyu, Junrui; Wen, Xinyi; Marcuzzi, Alberto; Plaza Arguello, David; M'Qaddem, Zakariae; Kaltsounis, Thomas; El Rammouz, Hala; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Charles, Matthew; Buckley, Julien; Chowdhury, Srabanti
A Schottky gate p-GaN fin-channel field effect transistor on very low-doped p-GaN films
2025 Fregolent, Manuel; Singh, Simranjit; Lu, Shun; Watanabe, Hirotaka; Wang, Jia; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo; Honda, Yoshio; Amano, Hiroshi; Sarkar, Biplab
Changes in the extraction and collection efficiency of GaN-based MQW solar cells under optical step-stress
2025 Nicoletto, M.; Bertin, S.; Caria, A.; Roccato, N.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Current Collapse in Buffer-Free GaN-on-SiC Power Transistors: Maxwell-Wagner Effect and Related Model
2025 Cavaliere, Alberto; Modolo, Nicola; Santi, Carlo De; Koller, Christian; Ostermaier, Clemens; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Öberg, Olof; Wang, Qin; Chen, Ding Yuan; Lundskog, Anders; Chen, Jr-Tai; Meneghini, Matteo
Diffusion mechanism as cause of optical degradation in AlGaN-based UV-C leds investigated by TCAD simulations
2025 Roccato, N.; Piva, F.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Trivellin, N.; Susilo, N.; Vidal, D. H.; Muhin, A.; Sulmoni, L.; Wernicke, T.; Kneissl, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Enhanced Gate Reliability of p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs Due to Gate Hole Injection and Recombination
2025 Fregolent, Manuel; De Santi, Carlo; Boito, Mirco; Disarò, Michele; Pirani, Alessio; Eloisa Castagna, Maria; Miccoli, Cristina; Pizzo, Giansalvo; Rossetto, Isabella; Cerati, Lorenzo; Iucolano, Ferdinando; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Evidence for double degradation regime in off-state stressed 100 V GaN transistors: From dielectric failure to subthreshold current increase
2025 Fraccaroli, R.; Fregolent, M.; Boito, M.; De Santi, C.; Canato, E.; Rossetto, I.; Castagna, M. E.; Miccoli, C.; Russo, A.; Iucolano, F.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Fe(III)‐Mediated Formation of Cu Nanoinclusions and Local Heterojunctions in CuWO4 Photoanodes
2025 Ostellari, Pietro; Benedoue, Serge; Zamboni, Diego; Basagni, Andrea; Silloni, Sharon; Scattolin, Enrico; Lorenzoni, Matteo; Pilot, Robertino; Fortunati, Ilaria; Lauciello, Simone; Wang, Mengjiao; Prato, Mirko; Ndi, Julius N.; Arcudi, Francesca; Đorđević, Luka; Meneghesso, Gaudenzio; Gross, Silvia; Franco, Lorenzo; Rizzi, Gian‐andrea; Gatti, Teresa; Lamberti, Francesco
Hail Damage Investigation in Heterojunction Silicon Photovoltaic Modules: A Real-World Case Study
2025 Nicoletto, M.; Panizzon, D.; Caria, A.; Trivellin, N.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Impact of drain-source leakage on the dynamic Ron of power HEMTs with p-GaN gate
2025 Longato, S. L.; Favero, D.; Stockman, A.; Nardo, A.; Vanmeerbeek, P.; Tack, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; De Santi, C.; Meneghini, M.
Interface-related VTH shift of SiC MOSFETs during constant current stress extracted from charge pumping measurements
2025 Marcuzzi, A.; Avramenko, M.; De Santi, C.; Moens, P.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Investigating the optical degradation of InAs quantum dot lasers on silicon through combined electro-optical characterization and gain measurements
2025 Zenari, M.; Novarese, M.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Norman, J.; Hughes, E. T.; Bowers, J. E.; Herrick, R. W.; Gioannini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.