MODOLO, NICOLA
MODOLO, NICOLA
Università di Padova
A novel on-wafer approach to test the stability of GaN-based devices in hard switching conditions: Study of hot-electron effects
2020 Modolo, N.; Meneghini, M.; Barbato, A.; Nardo, A.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Curatola, G.
A Novel Physics-Based Approach to Analyze and Model E-Mode p-GaN Power HEMTs
2020 Modolo, Nicola; Tang, Shun-Wei; Jiang, Hong-Jia; De Santi, Carlo; Meneghini, Matteo; Wu, Tian-Li
A Physics-Based Approach to Model Hot-Electron Trapping Kinetics in p-GaN HEMTs
2021 Modolo, N.; De Santi, C.; Minetto, A.; Sayadi, L.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Capture and emission time map to investigate the positive VTH shift in p-GaN power HEMTs
2022 Modolo, N.; Fregolent, M.; Masin, F.; Benato, A.; Bettini, A.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Borga, M.; Posthuma, N.; Bakeroot, B.; Decoutere, S.; Vogrig, D.; Neviani, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Compact Modeling of Nonideal Trapping/Detrapping Processes in GaN Power Devices
2022 Modolo, N.; De Santi, C.; Baratella, G.; Bettini, A.; Borga, M.; Posthuma, N.; Bakeroot, B.; You, S.; Decoutere, S.; Bevilacqua, A.; Neviani, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Cumulative Hot-Electron Trapping in GaN-Based Power HEMTs Observed by an Ultra-Fast (10V/ns) on-Wafer Methodology
2021 Modolo, N.; De Santi, C.; Minetto, A.; Sayadi, L.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Drain Field Plate Impact on the Hard-Switching Performance of AlGaN/GaN HEMTs
2021 Minetto, A.; Modolo, N.; Sayadi, L.; Koller, C.; Ostermaier, C.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Prechtl, G.; Sicre, S.; Deutschmann, B.; Haberlen, O.
Hot electron effects in AlGaN/GaN HEMTs during hard-switching events
2021 Minetto, A.; Modolo, N.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Sayadi, L.; Sicre, S.; Deutschmann, B.; Haberlen, O.
Hot-Electron Effects in AlGaN/GaN HEMTs under Semi-ON DC Stress
2020 Minetto, A.; Deutschmann, B.; Modolo, N.; Nardo, A.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Sayadi, L.; Prechtl, G.; Sicre, S.; Haberlen, O.
Impact of an AlGaN spike in the buffer in 0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs during step stress
2021 Gao, Z.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Modolo, N.; De Santi, C.; Blanck, H.; Stieglauer, H.; Sommer, D.; Grunenputt, J.; Kordina, O.; Chen, J. -T.; Jacquet, J. -C.; Lacam, C.; Piotrowicz, S.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Investigation of the degradations in power GaN-on-Si MIS-HEMTs subjected to cumulative γ-ray irradiation
2019 Sharma, C.; Modolo, N.; Chen, H. -H.; Tseng, Y. -Y.; Tang, S. -W.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Singh, R.; Wu, T. -L.
Positive VTH Shift in Schottky p-GaN Gate Power HEMTs: Dependence on Temperature, Bias and Gate Leakage
2024 Modolo, Nicola; De Santi, Carlo; Sicre, Sebastien; Minetto, Andrea; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Review on the degradation of GaN-based lateral power transistors
2021 De Santi, C.; Buffolo, M.; Rossetto, I.; Bordignon, T.; Brusaterra, E.; Caria, A.; Chiocchetta, F.; Favero, D.; Fregolent, M.; Masin, F.; Modolo, N.; Nardo, A.; Piva, F.; Rampazzo, F.; Sharma, C.; Trivellin, N.; Gao, Z.; Meneghini, M.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Trap-state mapping to model GaN transistors dynamic performance
2022 Modolo, Nicola; De Santi, Carlo; Minetto, Andrea; Sayadi, Luca; Prechtl, Gerhard; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Understanding the effects of off-state and hard-switching stress in gallium nitride-based power transistors
2020 Modolo, N.; De Santi, C.; Minetto, A.; Sayadi, L.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Understanding γ-Ray Induced Instability in AlGaN/GaN HEMTs Using a Physics-Based Compact Model
2020 Sharma, C.; Modolo, N.; Wu, T. -L.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Visvkarma, A. K.; Vinayak, S.; Singh, R.