DE SANTI, CARLO
DE SANTI, CARLO
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Deep-Level Effects in Back-Barrier-Scaled GaN HEMTs
2026 De Pieri, F.; Carlotto, A.; Fregolent, M.; Cavaliere, A.; Saro, M.; Rampazzo, F.; De Santi, C.; Zhan, V. G.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.
Experimental Evidence of Sustainable Avalanche Operation in E-Mode GaN HEMTs
2026 Fraccaroli, R.; Dell'Andrea, M.; Fregolent, M.; Boito, M.; Longato, S. L.; De Santi, C.; Rossetto, I.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Miccoli, C.; Russo, A.; Castagna, M. E.; Iucolano, F.; Meneghini, M.
Quantitative modeling of threshold instability in β-Ga2O3 finFETs through electro-optical investigation
2026 Fregolent, M.; Piva, F.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Li, W.; Nomoto, K.; Hu, Z.; Jena, D.; Xing, H. G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
A Schottky gate p-GaN fin-channel field effect transistor on very low-doped p-GaN films
2025 Fregolent, Manuel; Singh, Simranjit; Lu, Shun; Watanabe, Hirotaka; Wang, Jia; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo; Honda, Yoshio; Amano, Hiroshi; Sarkar, Biplab
Changes in the extraction and collection efficiency of GaN-based MQW solar cells under optical step-stress
2025 Nicoletto, M.; Bertin, S.; Caria, A.; Roccato, N.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Current Collapse in Buffer-Free GaN-on-SiC Power Transistors: Maxwell-Wagner Effect and Related Model
2025 Cavaliere, Alberto; Modolo, Nicola; Santi, Carlo De; Koller, Christian; Ostermaier, Clemens; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Öberg, Olof; Wang, Qin; Chen, Ding Yuan; Lundskog, Anders; Chen, Jr-Tai; Meneghini, Matteo
Diffusion mechanism as cause of optical degradation in AlGaN-based UV-C leds investigated by TCAD simulations
2025 Roccato, N.; Piva, F.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Trivellin, N.; Susilo, N.; Vidal, D. H.; Muhin, A.; Sulmoni, L.; Wernicke, T.; Kneissl, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Efficiency- and lifetime-limiting effects of commercially available UVC LEDs: a review
2025 Onushkin, Grigory; Ruschel, Jan; Piva, Francesco; Buffolo, Matteo; Rass, Jens; Davis, Lynn; Trivellin, Nicola; De Santi, Carlo; Van Driel, Willem; Meneghini, Matteo
Enhanced Gate Reliability of p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs Due to Gate Hole Injection and Recombination
2025 Fregolent, Manuel; De Santi, Carlo; Boito, Mirco; Disarò, Michele; Pirani, Alessio; Eloisa Castagna, Maria; Miccoli, Cristina; Pizzo, Giansalvo; Rossetto, Isabella; Cerati, Lorenzo; Iucolano, Ferdinando; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Evidence for double degradation regime in off-state stressed 100 V GaN transistors: From dielectric failure to subthreshold current increase
2025 Fraccaroli, R.; Fregolent, M.; Boito, M.; De Santi, C.; Canato, E.; Rossetto, I.; Castagna, M. E.; Miccoli, C.; Russo, A.; Iucolano, F.; Pirani, A.; Pizzo, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Hail Damage Investigation in Heterojunction Silicon Photovoltaic Modules: A Real-World Case Study
2025 Nicoletto, M.; Panizzon, D.; Caria, A.; Trivellin, N.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Impact of drain-source leakage on the dynamic Ron of power HEMTs with p-GaN gate
2025 Longato, S. L.; Favero, D.; Stockman, A.; Nardo, A.; Vanmeerbeek, P.; Tack, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; De Santi, C.; Meneghini, M.
Interface-related VTH shift of SiC MOSFETs during constant current stress extracted from charge pumping measurements
2025 Marcuzzi, A.; Avramenko, M.; De Santi, C.; Moens, P.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Investigating the optical degradation of InAs quantum dot lasers on silicon through combined electro-optical characterization and gain measurements
2025 Zenari, M.; Novarese, M.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Norman, J.; Hughes, E. T.; Bowers, J. E.; Herrick, R. W.; Gioannini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Long-term (8000 h) reliability and failures of high-power LEDs for outdoor lighting stressed at high ambient temperatures
2025 Caria, A.; Fraccaroli, R.; Pierobon, G.; Castellaro, T.; Huang, A.; Magnien, J.; Rosc, J.; Lipák, G.; Hantos, G.; Hegedüs, J.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Trivellin, N.; Zanoni, E.; Poppe, A.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.
Modeling Cracks in Silicon-Heterojunction Photovoltaic Modules: A Real-World Case Study
2025 Nicoletto, Marco; Panizzon, Davide; Caria, Alessandro; Trivellin, Nicola; De Santi, Carlo; Buffolo, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Modeling the capacitance–voltage characteristics of AlGaN-based UV-C LEDs
2025 Roccato, N.; Piva, F.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Trivellin, N.; Schilling, M.; Muhin, A.; Höpfner, J.; Guttmann, M.; Wernicke, T.; Kneissl, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
OFF-state breakdown and threshold voltage stability of vertical GaN-on-Si trench MOSFETs
2025 Fregolent, M.; Bergamin, F.; Favero, D.; De Santi, C.; Cester, A.; Huber, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Recoverable degradation of FAPbBr3 perovskite solar cells under reverse-bias: A combined electro-optical investigation
2025 Tormena, N.; Caria, A.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Cester, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Matteocci, F.; Di Carlo, A.; Trivellin, N.; Meneghini, M.
Self-Induced Photoionization of Traps in Buffer-Free AlGaN/GaN HEMTs
2025 De Pieri, F.; Fornasier, M.; Gao, Z.; Fregolent, M.; De Santi, C.; Rampazzo, F.; Putcha, V.; Riet, E. V. D.; Hartskeerl, D.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Zanoni, E.