Trapping and reliability issues in GaN-based MIS HEMTs with partially recessed gate

MENEGHESSO, GAUDENZIO;MENEGHINI, MATTEO;BISI, DAVIDE;ROSSETTO, ISABELLA;ZANONI, ENRICO
2016
2016
MICROELECTRONICS RELIABILITY
WOS:000374618300021
2-s2.0-84949678911
01.01 - Articolo in rivista
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11577/3224214
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 42
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 37
  • OpenAlex ND
social impact