BISI, DAVIDE
BISI, DAVIDE
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Analysis of off-state leakage mechanisms in GaN-based MIS-HEMTs: Experimental data and numerical simulation
2015 Marino, FABIO ALESSIO; Bisi, Davide; Meneghini, Matteo; Verzellesi, G.; Zanoni, Enrico; Van Hove, M.; You, S.; Decoutere, S.; Marcon, D.; Stoffels, S.; Ronchi, N.; Meneghesso, Gaudenzio
Analysis of slow de-trapping phenomena after a positive gate bias on AlGaN/GaN MIS-HEMTs with in-situ Si3N4/Al2O3 bilayer gate dielectrics
2015 Tian Li, Wu; Denis, Marcon; Nicolo, Ronchi; Benoit, Bakeroot; Shuzhen, You; Steve, Stoffels; Marleen Van, Hove; Bisi, Davide; Meneghini, Matteo; Guido, Groeseneken; Stefaan, Decoutere
Buffer Traps in Fe-Doped AlGaN/GaN HEMTs: Investigation of the Physical Properties Based on Pulsed and Transient Measurements
2014 Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Bisi, Davide; Stocco, Antonio; Alessandro, Chini; Alessio, Pantellini; Claudio, Lanzieri; Antonio, Nanni; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Deep-Level Characterization in GaN HEMTs-Part I: Advantages and Limitations of Drain Current Transient Measurements
2013 Bisi, Davide; Meneghini, Matteo; DE SANTI, Carlo; Alessandro, Chini; Michael, Dammann; Peter, Bruckner; Michael, Mikulla; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Degradation of AlGaN/GaN HEMT devices: Role of reverse-bias and hot electron stress
2013 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Stocco, Antonio; Bisi, Davide; DE SANTI, Carlo; Rossetto, Isabella; Zanandrea, Alberto; Rampazzo, Fabiana; Zanoni, Enrico
Drain current transient and low-frequency dispersion characterizations in AlGaN/GaN HEMTs
2016 Benvegnù, A.; Bisi, Davide; Laurent, S.; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Barataud, D.; Zanoni, Enrico; Quere, R.
Effects of buffer compensation strategies on the electrical performance and RF reliability of AlGaN/GaN HEMTs
2015 Bisi, D; Stocco, A.; Rossetto, I.; Meneghini, M.; Rampazzo, Fabiana.; Chini, A.; Soci, F.; Pantellini, A.; Lanzieri, C.; Gamarra, P.; Lacam, C.; Tordjman, M.; Di Forte-Poisson, M. -A.; De Salvador, D.; Bazzan, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Field plate related reliability improvements in GaN-on-Si HEMTs
2012 A., Chini; F., Soci; F., Fantini; A., Nanni; A., Pantellini; C., Lanzieri; Bisi, Davide; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
GaN-Based Power HEMTs: Parasitic, Reliability and High Field Issues
2013 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Bisi, Davide; Silvestri, Riccardo; Zanandrea, Alberto; O., Hilt; E., Bahat Treidel; F., Brunner; A., Knauer; J., Wuerfl; Zanoni, Enrico
Hot-Electron Degradation of AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors during RF Operation: Correlation with GaN Buffer Design
2015 Bisi, Davide; Chini, A.; Soci, F.; Stocco, Antonio; Meneghini, Matteo; Pantellini, A.; Nanni, A.; Lanzieri, C.; Gamarra, P.; Lacam, C.; Tordjman, M.; Di Forte Poisson, M. A.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Impact of gate insulator on the dc and dynamic performance of AlGaN/GaN MIS-HEMTs
2015 Rossetto, Isabella; Meneghini, Matteo; Bisi, Davide; Barbato, Alessandro; Van Hove, M.; Marcon, Daniela; Wu, T. L.; Decoutere, S.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Impact of oxygen precursor flow on the forward bias behavior of MOCVD-Al2O3dielectrics grown on GaN
2017 Chan, Silvia H.; Bisi, Davide; Liu, Xiang; Yeluri, Ramya; Tahhan, Maher; Keller, Stacia; Denbaars, Steven P.; Meneghini, Matteo; Mishra, Umesh K.
Instability of Dynamic- RONand Threshold Voltage in GaN-on-GaN Vertical Field-Effect Transistors
2017 Ruzzarin, M.; Meneghini, M.; Bisi, D.; Sun, M.; Palacios, T.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Kinetics of Buffer-Related RON-Increase in GaN-on-Silicon MIS-HEMTs
2014 Bisi, Davide; Meneghini, Matteo; Marino, FABIO ALESSIO; D., Marcon; S., Stoffels; M. V., Hove; S., Decoutere; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Negative bias-induced threshold voltage instability in GaN-on-Si power HEMTs
2016 Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Bisi, Davide; Ruzzarin, Maria; Van Hove, M.; Stoffels, S.; Wu, T. L.; Marcon, D.; Decoutere, S.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Observation of hot electron and impact ionization in N-Polar GaN MIS-HEMTs
2018 Bisi, Davide; De Santi, Carlo; Meneghini, Matteo; Wienecke, Steven; Guidry, Matt; Li, Haoran; Ahmadi, Elaheh; Keller, Stacia; Mishra, Umesh K.; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
On trapping mechanisms at oxide-traps in Al2 O3 /GaN metal-oxide-semiconductor capacitors
2016 Bisi, Davide; Chan, S. H.; Liu, X.; Yeluri, R.; Keller, S.; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Mishra, U. K.
Proton induced trapping effect on space compatible GaN HEMTs
2014 Stocco, Antonio; Gerardin, Simone; Bisi, Davide; Dalcanale, Stefano; Rampazzo, Fabiana; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; J., Gruenenpuett; B., Lambert; H., Blanck; Zanoni, Enrico
Reliability and parasitic issues in GaN-based power HEMTs: A review
2016 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Bisi, Davide; Stoffels, S.; Van Hove, M.; Decoutere, S.; Zanoni, Enrico
Temperature-dependent dynamic RON in GaN-based MIS-HEMTs: Role of surface traps and buffer leakage
2015 Meneghini, Matteo; Vanmeerbeek, P.; Silvestri, Riccardo; Dalcanale, Stefano; Banerjee, A.; Bisi, Davide; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Moens, P.