TAJALLI, ALALEH
TAJALLI, ALALEH
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Challenges towards highly reliable GaN power transistors
2018 Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; De Santi, C.; Fabris, E.; Rampazzo, F.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Characterization and Study of Reliability Aspects in GaN High ElectronMobility Transistors
2018 Tajalli, Alaleh
Degradation of GaN-Based Lateral and Vertical Devices—Challenges and Perspectives
2019 Meneghini, Matteo; DE SANTI, Carlo; Barbato, Alessandro; Borga, Matteo; Canato, Eleonora; Chiocchetta, Francesca; Fabris, Elena; Gao, Zhan; Masin, Fabrizio; Mukherjee, Kalparupa; Nardo, Arianna; Rampazzo, Fabiana; Ruzzarin, Maria; Rzin, Mehdi; Tajalli, Alaleh; Barbato, Marco; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Degradation physics of GaN-based lateral and vertical devices
2019 Meneghini, M.; De Santi, C.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; Chiocchetta, Francesca; Fabris, E.; Masin, F.; Nardo, A.; Rampazzo, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Barbato, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Dynamic-ron control via proton irradiation in AlGaN/GaN transistors
2018 Tajalli, Alaleh; Stockman, A.; Meneghini, M.; Mouhoubi, S.; Banerjee, A.; Gerardin, S.; Bagatin, M.; Paccagnella, A.; Zanoni, E.; Tack, M.; Bakeroot, B.; Moens, P.; Meneghesso, G.
Evidence of Hot-Electron Effects during Hard Switching of AlGaN/GaN HEMTs
2017 Rossetto, I.; Meneghini, M.; Tajalli, A.; Dalcanale, S.; De Santi, C.; Moens, P.; Banerjee, A.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Field and hot electron-induced degradation in GaN-based power MIS-HEMTs
2017 Tajalli, Alaleh; Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; Moens, Peter; Banerjee, Abhishek; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Gallium Nitride power devices: challenges and perspectives
2018 Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; De Santi, C.; Fabris, E.; Rampazzo, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
GaN-based MIS-HEMTs: Impact of cascode-mode high temperature source current stress on NBTI shift
2017 Dalcanale, Stefano; Meneghini, Matteo; Tajalli, Alaleh; Rossetto, Isabella; Ruzzarin, Maria; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Moens, Peter; Banerjee, Abhishek; Vandeweghe, Steven
High breakdown voltage and low buffer trapping in superlattice gan-on-silicon heterostructures for high voltage applications
2020 Tajalli, A.; Meneghini, M.; Besendorfer, S.; Kabouche, R.; Abid, I.; Pusche, R.; Derluyn, J.; Degroote, S.; Germain, M.; Meissner, E.; Zanoni, E.; Medjdoub, F.; Meneghesso, G.
High voltage GaN on si with low trapping up to 1200V
2018 Tajalli, A.; Abid, I.; Kabouche, R.; Zegaoui, M.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Nishikawa, A.; Medjdoub, F.
Impact of sidewall etching on the dynamic performance of GaN-on-Si E-mode transistors
2018 Tajalli, A.; Canato, E.; Nardo, Arianna; Meneghini, M.; Stockman, A.; Moens, P.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Instability of the breakdown voltage and leakage current in GaAs pseudomorphic HEMTs
2016 Tajalli, Alaleh; Rossetto, Isabella; Meneghini, Matteo; P., Romanini; M., Peroni; A., Pantellini; C., Lanzieri; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Intrinsic reliability assessment of 650V rated AlGaN/GaN based power devices : An industry perspective
2016 Moens, P.; Banerjee, A.; Constant, A.; Coppens, P.; Caesar, M.; Li, Z.; Vandeweghe, S.; Declercq, F.; Padmanabhan, B.; Jeon, W.; Guo, J.; Salih, A.; Tack, M.; Meneghini, Matteo; Dalcanale, Stefano; Tajalli, Alaleh; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Uren, M. J.; Chatterjee, I.; Karboyan, S.; Kuball, M.
Low On-Resistance and Low Trapping Effects in 1200 V Superlattice GaN-on-Silicon Heterostructures
2019 Kabouche, R.; Abid, I.; Pusche, R.; Derluyn, J.; Degroote, S.; Germain, M.; Tajalli, A.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Medjdoub, F.
On the origin of the leakage current in p-gate AlGaN/GaN HEMTs
2018 Stockman, A.; Canato, Eleonora; Tajalli, A.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Moens, P.; Bakeroot, B.
Recent Advancements in Power GaN Reliability
2018 De Santi, C.; Meneghini, M.; Borga, M.; Ruzzarin, M.; Canato, E.; Tajalli, A.; Barbato, A.; Fabris, E.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Reliability and Dynamic Performance of Gallium Nitride-based Devices for Power Applications
2019 De Santi, C.; Meneghini, M.; Barbato, A.; Borga, M.; Canato, E.; Chiocchetta, F.; Fabris, E.; Gao, Z.; Masin, F.; Mukherjee, K.; Nardo, A.; Ruzzarin, M.; Rzin, M.; Tajalli, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Reliability and failure analysis in power GaN-HEMTs: An overview
2017 Meneghini, Matteo; Rossetto, Isabella; De Santi, Carlo; Rampazzo, Fabiana; Tajalli, Alaleh; Barbato, Alessandro; Ruzzarin, Maria; Borga, Matteo; Canato, Eleonora; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Reliability Issues in Lateral and Vertical GaN FETs for Power Electronics
2018 Meneghesso, G.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Barbato, A.; Barbato, M.; Borga, M.; Canato, E.; Fabris, E.; Masin, F.; Ruzzarin, M.; Tajalli, A.; Zanoni, E.