Dynamic-ron control via proton irradiation in AlGaN/GaN transistors

Tajalli, Alaleh; Stockman, A.; Meneghini, M.; Mouhoubi, S.; Banerjee, A.; Gerardin, S.; Bagatin, M.; Paccagnella, A.; Zanoni, E.; Tack, M.; Bakeroot, B.; Moens, P.; Meneghesso, G.

doi:10.1109/ISPSD.2018.8393610

Dynamic-ron control via proton irradiation in AlGaN/GaN transistors

TAJALLI, ALALEH;Stockman, A.;Meneghini, M.;Mouhoubi, S.;Banerjee, A.;Gerardin, S.;Bagatin, M.;Paccagnella, A.;Zanoni, E.;Tack, M.;Bakeroot, B.;Moens, P.;Meneghesso, G.

2018

Scheda breve

Scheda completa

Scheda completa (DC)

	Anno
	
				2018
			
	Titolo del Libro
	
				Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
			
	Rivista su cui è pubblicata l'opera
	
				PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES & ICS
			
	Titolo convegno
	
				30th IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2018
			
	Codice DOI
	
				https://dx.doi.org/10.1109/ISPSD.2018.8393610
			
	Codice WOS
	
				WOS:000467075700022
			
	Codice Scopus
	
				2-s2.0-85049968295
			
	Codice ISBN
	
				9781538629260
			
	Appare nelle tipologie:
	
				04.01 - Contributo in atti di convegno