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Defect States Extraction from Stretched Exponential (de)trapping Response
2022 DE SANTI, Carlo; Modolo, Nicola; Minetto, Andrea; Sayadi, Luca; Prechtl, Gerhard; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
Hot-electron trapping and electric field redistribution in 0.15 µm RF AlGaN/GaN HEMT with single or double layer AlGaN backbarrier
2022 Chiocchetta, F.; Gao, Z.; Fornasier, M.; Modolo, N.; De Santi, C.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Modeling the EQE spectral shape of InGaN-GaN Multi-Quantum Wells Solar Cells
2022 Caria, A.; De Santi, C.; Nicoletto, M.; Buffolo, M.; Huang, X.; Fu, H.; Chen, H.; Zhao, Y.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Modeling of TAT-related forward leakage current in InGaN/GaN SQW LEDs based on experimentally-determined defects parameters
2022 Buffolo, M.; Roccato, N.; Piva, Francesco; DE SANTI, Carlo; Haller, C.; Carlin, J. -F.; Grandjean, N.; Tibaldi, A.; Bertazzi, F.; Goano, M.; Verzellesi, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Discriminating the effects of deep-levels in InGaN/GaN LEDs: impact on forward leakage current
2022 Buffolo, M.; Roccato, N.; Piva, F.; De Santi, C.; Haller, C.; Carlin, Jean-François; Grandjean, N.; Vallone, M.; Tibaldic, A.; Bertazzi, F.; Goano, M.; Verzellesi, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Investigation on the optical stability during ageing of InGaN-based light emitting diode
2022 Casu, C.; Buffolo, M.; Caria, A.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Effects of the generation and relocation of defects during the aging process of InGaN-based multi quantum well light emitting diodes
2022 Casu, C.; Buffolo, M.; Caria, A.; De Santi, C.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.
Characterization and Modeling of quantum efficiency InGaN-GaN Multi-Quantum Well (MQW) solar cells
2022 Nicoletto, M.; Caria, A.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Huang, X.; Fu, H.; Chen, H.; Zhao, Y.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Reliability of commercial UV-C LEDs for disinfection purposes
2022 Trivellin, N.; Piva, F.; Fiorimonte, D.; Buffolo, M.; De Santi, C.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.; Meneghini, M.
Conduction processes, modeling and deep levels in nitrogen-implanted β-Gallium oxide Schottky diodes
2022 DE SANTI, Carlo; Fregolent, Manuel; Buffolo, Matteo; Higashiwaki, Masataka; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo
III-N optoelectronics: defects, reliability and challenges
2022 Meneghini, M.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Caria, A.; Piva, F.; Casu, C.; Roccato, N.; Carlin, J. F.; Grandjean, N.; Tibaldi, A.; Bertazzi, F.; Goano, M.; Verzellesi, G.; Trivellin, N.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Deep Levels and Threshold Voltage Instability in Vertical a-Plane Oriented GaN MISFETs
2022 Fregolent, M.; Munari, G.; Bordignon, T.; De Santi, C.; Bahat Treidel, E.; Hilt, O.; Würfl, J.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
GaN RF HEMT Reliability: Impact of Device Processing on I-V Curve Stability and Current Collapse
2022 Chiocchetta, F.; De Santi, C.; Rampazzo, F.; Mukherjee, K.; Grunenputt, J.; Sommer, D.; Blanck, H.; Lambert, B.; Gerosa, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Deep level effects and degradation of 0.15 μm RF AlGaN/GaN HEMTs with Mono-layer and Bi-layer AlGaN backbarrier
2022 Gao, Z.; Chiocchetta, F.; De Santi, C.; Modolo, N.; Rampazzo, F.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Blanck, H.; Stieglauer, H.; Sommer, D.; Benoit, L.; Grunenputt, J.; Kordina, O.; Chen, J. -T.; Jacquet, J. -C.; Lacam, C.; Piotrowicz, S.
Photon-induced degradation of InGaN-based LED in open-circuit conditions investigated by steady-state photocapacitance and photoluminescence
2022 Caria, A.; De Santi, C.; Buffolo, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Role of Carbon in dynamic effects and reliability of 0.15 um AlGaN/GaN HEMTs for RF power amplifiers
2022 De Santi, C; Zanoni, E; Meneghini, M; Meneghesso, G; Rampazzo, F; Gao, Z; Sharma, C; Chiocchetta, F; Verzellesi, G; Chini, A; Cioni, M; Zagni, N; Lanzieri, C; Pantellini, A; Peroni, M; Latessa, L
Defects and Reliability of GaN-Based LEDs: Review and Perspectives
2022 Buffolo, M.; Caria, A.; Piva, F.; Roccato, N.; Casu, C.; De Santi, C.; Trivellin, N.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Study of the influence of gate etching and passivation on current dispersion, trapping and reliability in RF 0.15 mu m AlGaN/GaN HEMTs
2022 Chiocchetta, F; De Santi, C; Rampazzo, F; Mukherjee, K; Grunenputt, J; Sommer, D; Blanck, H; Lambert, B; Gerosa, A; Meneghesso, G; Zanoni, E; Meneghini, M
Impact of doping and geometry on breakdown voltage of semi-vertical GaN-on-Si MOS capacitors
2022 Favero, D.; De Santi, C.; Mukherjee, K.; Borga, M.; Geens, K.; Chatterjee, U.; Bakeroot, B.; Decoutere, S.; Rampazzo, F.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Failure Physics and Reliability of GaN-Based HEMTs for Microwave and Millimeter-Wave Applications: A Review of Consolidated Data and Recent Results
2022 Zanoni, E; Rampazzo, F; De Santi, C; Gao, Z; Sharma, C; Modolo, N; Verzellesi, G; Chini, A; Meneghesso, G; Meneghini, M
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