BARBATO, ALESSANDRO
BARBATO, ALESSANDRO
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
A novel on-wafer approach to test the stability of GaN-based devices in hard switching conditions: Study of hot-electron effects
2020 Modolo, N.; Meneghini, M.; Barbato, A.; Nardo, A.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Sicre, S.; Prechtl, G.; Curatola, G.
ESD-failure of E-mode GaN HEMTs: Role of device geometry and charge trapping
2019 Canato, E.; Meneghini, M.; Nardo, A.; Masin, F.; Barbato, A.; Barbato, M.; Stockman, A.; Banerjee, A.; Moens, P.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Fast System to measure the dynamic onresistance of on-wafer 600 v normally off GaN HEMTs in hard-switching application conditions
2020 Barbato, A.; Barbato, M.; Meneghini, M.; Silvestri, M.; Detzel, T.; Haeberlen, O.; Spiazzi, G.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Non thermally-activated transients and buffer traps in GaN transistors with p-type gate: A new method for extracting the activation energy
2020 Nardo, A.; Meneghini, M.; Barbato, A.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Sicre, S.; Sayadi, L.; Prechtl, G.; Curatola, G.
Potential induced degradation of N-type bifacial silicon solar cells: An investigation based on electrical and optical measurements
2017 Barbato, M.; Barbato, A.; Meneghini, M.; Tavernaro, G.; Rossetto, M.; Meneghesso, G.
Reverse bias degradation of metal wrap through silicon solar cells
2016 Barbato, Marco; Barbato, Alessandro; Meneghini, Matteo; Cester, Andrea; Mura, G.; Tonini, D.; Voltan, A.; Cellere, G.; Meneghesso, Gaudenzio
Secondary electroluminescence of GaN-on-Si RF HEMTs: Demonstration and physical origin
2017 Meneghini, Matteo; Barbato, Alessandro; Rossetto, Isabella; Favaron, Andrea; Silvestri, Marco; Lavanga, Simone; Sun, Haifeng; Brech, Helmut; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Storage and release of buffer charge in GaN-on-Si HEMTs investigated by transient measurements
2020 Nardo, A.; Meneghini, M.; Barbato, A.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Sicre, S.; Sayadi, L.; Prechtl, G.; Curatola, G.