Power GaN HEMT degradation: From time-dependent breakdown to hot-electron effects

Meneghini, M.;Barbato, A.;Borga, M.;De Santi, C.;Barbato, M.;Stoffels, S.;Meneghesso, G.;Zanoni, E.
2019
2019
Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM
64th Annual IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2018
WOS:000459882300125
2-s2.0-85061784358
9781728119878
04.01 - Contributo in atti di convegno
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