SILVESTRI, RICCARDO
SILVESTRI, RICCARDO
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Comparison of the performances of an InAlN/GaN HEMT with a Mo/Au gate or a Ni/Pt/Au gate
2013 Rossetto, Isabella; Rampazzo, Fabiana; Silvestri, Riccardo; Zanandrea, Alberto; C., Dua; S., Delage; M., Oualli; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Degradation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors related to hot electrons
2012 Meneghini, Matteo; Stocco, Antonio; Silvestri, Riccardo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Electric-field and Thermally-activated Failure Mechanisms of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
2011 Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Stocco, Antonio; Rampazzo, Fabiana; Silvestri, Riccardo; Rossetto, Isabella; Ronchi, Nicolo'
Evaluation of AlN/GaN/AlGaN double heterostructure on SiC substrate for high power millimeter wave applications
2014 F., Medjdoub; E., Okada; B., Grimbert; Silvestri, Riccardo; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Evidence for temperature-dependent buffer-induced trapping in GaN-on-silicon power transistors
2015 Meneghini, Matteo; Silvestri, Riccardo; Dalcanale, Stefano; Bisi, Davide; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Vanmeerbeek, P.; Banerjee, A.; Moens, P.
Experimental demonstration of weibull distributed failure in p-type GaN high electron mobility transistors under high forward bias stress
2016 Rossetto, Isabella; Meneghini, Matteo; Silvestri, Riccardo; Dalcanale, Stefano; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Hilt, O.; Bahat Treidel, E.; Wuerfl, J.
First Reliability Demonstration of Sub-200-nm AlN/GaN-on-Silicon Double-Heterostructure HEMTs for Ka-Band Applications
2013 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Farid, Medjdoub; Yoann, Tagro; Bertrand, Grimbert; Damien, Ducatteau; Nathalie, Rolland; Silvestri, Riccardo; Zanoni, Enrico
GaN-Based Power HEMTs: Parasitic, Reliability and High Field Issues
2013 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Bisi, Davide; Silvestri, Riccardo; Zanandrea, Alberto; O., Hilt; E., Bahat Treidel; F., Brunner; A., Knauer; J., Wuerfl; Zanoni, Enrico
High PAE high reliability AlN/GaN double heterostructure
2015 Medjdoub, F.; Zegaoui, M.; Linge, A.; Grimbert, B.; Silvestri, Riccardo; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
High performance high reliability AlN/GaN DHFET
2014 F., Medjdoub; E., Okada; B., Grimbert; D., Ducatteau; Silvestri, Riccardo; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
High voltage trapping effects in GaN-based metal-insulator-semiconductor transistors
2016 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Silvestri, Riccardo; Vanmeerbeek, P.; Moens, P.; Zanoni, Enrico
Highly stable low noise / high power AlN/GaN-on-silicon double heterostructure HEMTs operating at 40 GHz
2013 F., Medjdoub; Y., Tagro; B., Grimbert; D., Ducatteau; N., Rolland; Silvestri, Riccardo; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Impact of Hot Electrons on the Reliability of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
2011 Rampazzo, Fabiana; Stocco, Antonio; Silvestri, Riccardo; Meneghini, Matteo; Ronchi, Nicolo'; Bisi, Davide; F., Soci; A., Chini; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Impact of Hot Electrons on the Reliability of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
2012 Meneghini, Matteo; Stocco, Antonio; Silvestri, Riccardo; Ronchi, Nicolo'; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Normally-off GaN-HEMTs with p-type gate: Off-state degradation, forward gate stress and ESD failure
2016 Meneghini, Matteo; Hilt, O.; Fleury, C.; Silvestri, Riccardo; Capriotti, M.; Strasser, G.; Pogany, D.; Bahat Treidel, E.; Brunner, F.; Knauer, A.; Würfl, J.; Rossetto, Isabella; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Dalcanale, Stefano
Radiation performance of new semiconductor power devices for the LHC experiment upgrades
2013 Abbate, Carmine; Alderighi, Monica; Rampazzo, Fabiana; Riva, Marco; Baccaro, Stefania; Sanseverino, Annunziata; Silvestri, Riccardo; Spiazzi, Giorgio; Velardi, Francesco; Zanoni, Enrico; Busatto, Gianni; Citterio, Mauro; Ghisolfi, Enrica; Cova, Paolo; Delmonte, Nicola; DE LUCA, Valentina; Fiore, Salvatore; Gerardin, Simone; Giuliani, Francesco; Iannuzzo, Francesco; Lanza, Agostino; Latorre, Stefano; Lazzaroni, Massimo; Meneghesso, Gaudenzio; Paccagnella, Alessandro
Temperature-dependent dynamic RON in GaN-based MIS-HEMTs: Role of surface traps and buffer leakage
2015 Meneghini, Matteo; Vanmeerbeek, P.; Silvestri, Riccardo; Dalcanale, Stefano; Banerjee, A.; Bisi, Davide; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Moens, P.
Threshold Voltage Instabilities in D-Mode GaN HEMTs for Power Switching Applications
2014 Meneghesso, Gaudenzio; Silvestri, Riccardo; Meneghini, Matteo; Cester, Andrea; Zanoni, Enrico; G., Verzellesi; G., Pozzovivo; S., Lavanga; T., Detzel; O., Haeberlen; G., Curatola
Time dependent Degradation of AlGaN/GaN HEMTs
2012 Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Meneghini, Matteo; Stocco, Antonio; Silvestri, Riccardo; Bertin, Marco; Rampazzo, Fabiana