Gate Reliability of p-GaN Gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors

Ruzzarin, Maria;De Santi, Carlo;Meneghini, Matteo;Meneghesso, Gaudenzio;Zanoni, Enrico
2019
2019
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
WOS:000460664000005
2-s2.0-85062731428
01.01 - Articolo in rivista
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11577/3295418
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 27
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 24
  • OpenAlex ND
social impact