ZANANDREA, ALBERTO
ZANANDREA, ALBERTO
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Characterization Of Gan-Based Single- And Double-Heterostructure Devices
2012 Zanandrea, Alberto; E., Bahat Treidel; P., Ivo; Rampazzo, Fabiana; Stocco, Antonio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; J., Wuerfl; Meneghesso, Gaudenzio
Comparison of the performances of an InAlN/GaN HEMT with a Mo/Au gate or a Ni/Pt/Au gate
2013 Rossetto, Isabella; Rampazzo, Fabiana; Silvestri, Riccardo; Zanandrea, Alberto; C., Dua; S., Delage; M., Oualli; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
DC and Pulsed Characterization of GaN-based Single- and Double- Heterostructure Devices
2011 Zanandrea, Alberto; Rampazzo, Fabiana; Stocco, Antonio; Zanoni, Enrico; Bisi, Davide; F., Soci; A., Chini; P., Ivo; J., Wuerfl; Meneghesso, Gaudenzio
Degradation of AlGaN/GaN HEMT devices: Role of reverse-bias and hot electron stress
2013 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Stocco, Antonio; Bisi, Davide; DE SANTI, Carlo; Rossetto, Isabella; Zanandrea, Alberto; Rampazzo, Fabiana; Zanoni, Enrico
Degradation of AlGaN/GaN HET devices: role of reverse vias and hot electron stress
2013 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Stocco, Antonio; Bisi, Davide; DE SANTI, Carlo; Rossetto, Isabella; Zanandrea, Alberto; Cester, Andrea; Rampazzo, Fabiana; Zanoni, Enrico
Degradation of AlInN/AlN/GaN High Electron Mobility Transistors under Proton Irradiation
2012 Zanandrea, Alberto; Gerardin, Simone; Rampazzo, Fabiana; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Paccagnella, Alessandro
Degradation of dc and pulsed characteristics of InAlN/GaN HEMTs under different proton fluences
2014 Rossetto, Isabella; Rampazzo, Fabiana; Gerardin, Simone; Meneghini, Matteo; Bagatin, Marta; Zanandrea, Alberto; Paccagnella, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico; Christian, Dua; Marie Antoinette di Forte, Poisson; Raphael, Aubry; Mourad, Oualli; Sylvain L., Delage
Electrical and Electroluminescence Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Operated in Sustainable Breakdown Conditions
2013 Meneghini, Matteo; Zanandrea, Alberto; Rampazzo, Fabiana; Stocco, Antonio; Bertin, Marco; Cibin, Giulia; Dionyz, Pogany; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Evidence for breakdown luminescence in AlGaN/GaN HEMTs
2012 Meneghini, Matteo; Zanandrea, Alberto; Rampazzo, Fabiana; Stocco, Antonio; Bertin, Marco; D., Pogany; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
GaN-Based Power HEMTs: Parasitic, Reliability and High Field Issues
2013 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Bisi, Davide; Silvestri, Riccardo; Zanandrea, Alberto; O., Hilt; E., Bahat Treidel; F., Brunner; A., Knauer; J., Wuerfl; Zanoni, Enrico
GaN-HEMTs devices with single- and double-heterostructure for power switching applications
2013 Meneghesso, Gaudenzio; Zanandrea, Alberto; Stocco, Antonio; Rossetto, Isabella; DE SANTI, Carlo; Rampazzo, Fabiana; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; E., Bahat Treidel; O., Hilt; P., Ivo; J., Wuerfl
Impact of proton fluence on DC and trapping characteristics in InAlN/GaN HEMTs
2015 Rossetto, Isabella; Rampazzo, Fabiana; Gerardin, Simone; Meneghini, Matteo; Bagatin, Marta; Zanandrea, Alberto; Dua, C.; di Forte Poisson, M. A.; Aubry, R.; Oualli, M.; Delage, S. L.; Paccagnella, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Influence of properties of Si3 N4 passivation layer on the electrical characteristics of Normally-off AlGaN/GaN HEMTThe 1st IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications
2013 F., Iucolano; C., Miccoli; M., Nicotra; Stocco, Antonio; Rampazzo, Fabiana; Zanandrea, Alberto; Martino V., Cinnera; A., Patti; S., Rinaudo; F., Soci; A., Chini; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Open issues in GaN-based HEMTs: performances, parasitics and reliability
2014 Zanandrea, Alberto
Single- and double-heterostructure GaN-HEMTs devices for power switching applications
2012 Zanandrea, Alberto; E., Bahat Treidel; Rampazzo, Fabiana; Stocco, Antonio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; O., Hilt; P., Ivo; J., Wuerfl; Meneghesso, Gaudenzio