ZANANDREA, ALBERTO
ZANANDREA, ALBERTO
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI
Comparison of the performances of an InAlN/GaN HEMT with a Mo/Au gate or a Ni/Pt/Au gate
2013 Rossetto, Isabella; Rampazzo, Fabiana; Silvestri, Riccardo; Zanandrea, Alberto; C., Dua; S., Delage; M., Oualli; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
Degradation of AlGaN/GaN HEMT devices: Role of reverse-bias and hot electron stress
2013 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Stocco, Antonio; Bisi, Davide; DE SANTI, Carlo; Rossetto, Isabella; Zanandrea, Alberto; Rampazzo, Fabiana; Zanoni, Enrico
Electrical and Electroluminescence Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Operated in Sustainable Breakdown Conditions
2013 Meneghini, Matteo; Zanandrea, Alberto; Rampazzo, Fabiana; Stocco, Antonio; Bertin, Marco; Cibin, Giulia; Dionyz, Pogany; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio
GaN-Based Power HEMTs: Parasitic, Reliability and High Field Issues
2013 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Bisi, Davide; Silvestri, Riccardo; Zanandrea, Alberto; O., Hilt; E., Bahat Treidel; F., Brunner; A., Knauer; J., Wuerfl; Zanoni, Enrico
Impact of proton fluence on DC and trapping characteristics in InAlN/GaN HEMTs
2015 Rossetto, Isabella; Rampazzo, Fabiana; Gerardin, Simone; Meneghini, Matteo; Bagatin, Marta; Zanandrea, Alberto; Dua, C.; di Forte Poisson, M. A.; Aubry, R.; Oualli, M.; Delage, S. L.; Paccagnella, Alessandro; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico
Single- and double-heterostructure GaN-HEMTs devices for power switching applications
2012 Zanandrea, Alberto; E., Bahat Treidel; Rampazzo, Fabiana; Stocco, Antonio; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; O., Hilt; P., Ivo; J., Wuerfl; Meneghesso, Gaudenzio