DALCANALE, STEFANO
DALCANALE, STEFANO
Università di Padova
Evidence of Hot-Electron Effects during Hard Switching of AlGaN/GaN HEMTs
2017 Rossetto, I.; Meneghini, M.; Tajalli, A.; Dalcanale, S.; De Santi, C.; Moens, P.; Banerjee, A.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
Failure signatures on 0.25 mu m GaN HEMTs for high-power RF applications
2014 Stocco, Antonio; Dalcanale, Stefano; Rampazzo, Fabiana; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; J., Gruenenpuett; B., Lambert; H., Blanck; Zanoni, Enrico
Normally-off GaN-HEMTs with p-type gate: Off-state degradation, forward gate stress and ESD failure
2016 Meneghini, Matteo; Hilt, O.; Fleury, C.; Silvestri, Riccardo; Capriotti, M.; Strasser, G.; Pogany, D.; Bahat Treidel, E.; Brunner, F.; Knauer, A.; Würfl, J.; Rossetto, Isabella; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Dalcanale, Stefano
Proton induced trapping effect on space compatible GaN HEMTs
2014 Stocco, Antonio; Gerardin, Simone; Bisi, Davide; Dalcanale, Stefano; Rampazzo, Fabiana; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; J., Gruenenpuett; B., Lambert; H., Blanck; Zanoni, Enrico
Temperature-dependent dynamic RON in GaN-based MIS-HEMTs: Role of surface traps and buffer leakage
2015 Meneghini, Matteo; Vanmeerbeek, P.; Silvestri, Riccardo; Dalcanale, Stefano; Banerjee, A.; Bisi, Davide; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Moens, P.
Time-Dependent Failure of GaN-on-Si Power HEMTs With p-GaN Gate
2016 Rossetto, Isabella; Meneghini, Matteo; Hilt, O.; Bahat Treidel, E.; DE SANTI, Carlo; Dalcanale, Stefano; Wuerfl, J.; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio