SILVESTRI, RICCARDO

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SILVESTRI, RICCARDO

Afferenza

Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione - DEI

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Comparison of the performances of an InAlN/GaN HEMT with a Mo/Au gate or a Ni/Pt/Au gate

2013 Rossetto, Isabella; Rampazzo, Fabiana; Silvestri, Riccardo; Zanandrea, Alberto; C., Dua; S., Delage; M., Oualli; Meneghini, Matteo; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio

Degradation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors related to hot electrons

2012 Meneghini, Matteo; Stocco, Antonio; Silvestri, Riccardo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico

First Reliability Demonstration of Sub-200-nm AlN/GaN-on-Silicon Double-Heterostructure HEMTs for Ka-Band Applications

2013 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Farid, Medjdoub; Yoann, Tagro; Bertrand, Grimbert; Damien, Ducatteau; Nathalie, Rolland; Silvestri, Riccardo; Zanoni, Enrico

GaN-Based Power HEMTs: Parasitic, Reliability and High Field Issues

2013 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Bisi, Davide; Silvestri, Riccardo; Zanandrea, Alberto; O., Hilt; E., Bahat Treidel; F., Brunner; A., Knauer; J., Wuerfl; Zanoni, Enrico

High PAE high reliability AlN/GaN double heterostructure

2015 Medjdoub, F.; Zegaoui, M.; Linge, A.; Grimbert, B.; Silvestri, Riccardo; Meneghini, Matteo; Meneghesso, Gaudenzio; Zanoni, Enrico

High voltage trapping effects in GaN-based metal-insulator-semiconductor transistors

2016 Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Silvestri, Riccardo; Vanmeerbeek, P.; Moens, P.; Zanoni, Enrico

Normally-off GaN-HEMTs with p-type gate: Off-state degradation, forward gate stress and ESD failure

2016 Meneghini, Matteo; Hilt, O.; Fleury, C.; Silvestri, Riccardo; Capriotti, M.; Strasser, G.; Pogany, D.; Bahat Treidel, E.; Brunner, F.; Knauer, A.; Würfl, J.; Rossetto, Isabella; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Dalcanale, Stefano

Temperature-dependent dynamic RON in GaN-based MIS-HEMTs: Role of surface traps and buffer leakage

2015 Meneghini, Matteo; Vanmeerbeek, P.; Silvestri, Riccardo; Dalcanale, Stefano; Banerjee, A.; Bisi, Davide; Zanoni, Enrico; Meneghesso, Gaudenzio; Moens, P.

Titolo	Data di pubblicazione	Autori	Rivista	Serie	Titolo libro
Comparison of the performances of an InAlN/GaN HEMT with a Mo/Au gate or a Ni/Pt/Au gate	2013	ROSSETTO, ISABELLARAMPAZZO, FABIANASILVESTRI, RICCARDOZANANDREA, ALBERTOC. DuaS. DelageM. OualliMENEGHINI, MATTEOZANONI, ENRICOMENEGHESSO, GAUDENZIO + -	MICROELECTRONICS RELIABILITY	-	-
Degradation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors related to hot electrons	2012	MENEGHINI, MATTEOSTOCCO, ANTONIOSILVESTRI, RICCARDOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO	APPLIED PHYSICS LETTERS	-	-
First Reliability Demonstration of Sub-200-nm AlN/GaN-on-Silicon Double-Heterostructure HEMTs for Ka-Band Applications	2013	MENEGHESSO, GAUDENZIOMENEGHINI, MATTEOFarid MedjdoubYoann TagroBertrand GrimbertDamien DucatteauNathalie RollandSILVESTRI, RICCARDOZANONI, ENRICO + -	IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY	-	-
GaN-Based Power HEMTs: Parasitic, Reliability and High Field Issues	2013	MENEGHESSO, GAUDENZIOMENEGHINI, MATTEOBISI, DAVIDESILVESTRI, RICCARDOZANANDREA, ALBERTOO. HiltE. Bahat TreidelF. BrunnerA. KnauerJ. WuerflZANONI, ENRICO + -	ECS TRANSACTIONS	-	-
High PAE high reliability AlN/GaN double heterostructure	2015	Medjdoub, F.Zegaoui, M.Linge, A.Grimbert, B.SILVESTRI, RICCARDOMENEGHINI, MATTEOMENEGHESSO, GAUDENZIOZANONI, ENRICO + -	SOLID-STATE ELECTRONICS	-	-
High voltage trapping effects in GaN-based metal-insulator-semiconductor transistors	2016	MENEGHESSO, GAUDENZIOMENEGHINI, MATTEOSILVESTRI, RICCARDOVanmeerbeek, P.Moens, P.ZANONI, ENRICO + -	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS	-	-
Normally-off GaN-HEMTs with p-type gate: Off-state degradation, forward gate stress and ESD failure	2016	MENEGHINI, MATTEOHilt, O.Fleury, C.SILVESTRI, RICCARDOCapriotti, M.Strasser, G.Pogany, D.Bahat Treidel, E.Brunner, F.Knauer, A.Würfl, J.ROSSETTO, ISABELLAZANONI, ENRICOMENEGHESSO, GAUDENZIODALCANALE, STEFANO + -	MICROELECTRONICS RELIABILITY	-	-
Temperature-dependent dynamic RON in GaN-based MIS-HEMTs: Role of surface traps and buffer leakage	2015	MENEGHINI, MATTEOVanmeerbeek, P.SILVESTRI, RICCARDODALCANALE, STEFANOBanerjee, A.BISI, DAVIDEZANONI, ENRICOMENEGHESSO, GAUDENZIOMoens, P. + -	IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES	-	-