Transient Short-Channel Effects Induced by Si δ Doping in Buffer-Free LG=0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs

De Pieri F.;De Santi C.;Rossetto I.;Carlotto A.;Roy Chowdhury S.;Saro M.;Rampazzo F.;Meneghini M.;Meneghesso G.;Zanoni E.
2026

2026
Proceedings of the 2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
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