ZAPPALÀ, GIORGIO
ZAPPALÀ, GIORGIO
Università di Padova
Mostra
records
Risultati 1 - 2 di 2 (tempo di esecuzione: 0.001 secondi).
Modeling Leakage Current Variations Starting From Threshold Voltage Shift in SiC MOSFETs Submitted to Positive Gate Stress
2026 Zappalà, G.; Marcuzzi, A.; De Santi, C.; Avramenko, M.; Moens, P.; Feng, A.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
Threshold Voltage Instabilities of 4H-SiC MOSFETs: Comparing Planar and Trench Devices
2026 Zappalà, G.; De Santi, C.; Avramenko, M.; Moens, P.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
| Titolo | Data di pubblicazione | Autori | Rivista | Serie | Titolo libro |
|---|---|---|---|---|---|
| Modeling Leakage Current Variations Starting From Threshold Voltage Shift in SiC MOSFETs Submitted to Positive Gate Stress | 2026 | Zappalà G.Marcuzzi A.De Santi C.Meneghesso G.Zanoni E.Meneghini M. + | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | - | - |
| Threshold Voltage Instabilities of 4H-SiC MOSFETs: Comparing Planar and Trench Devices | 2026 | Zappalà G.De Santi C.Meneghesso G.Zanoni E.Meneghini M. + | - | IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS | Proceedings of the 2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) |