Threshold Voltage Instabilities of 4H-SiC MOSFETs: Comparing Planar and Trench Devices

Zappalà G.;De Santi C.;Meneghesso G.;Zanoni E.;Meneghini M.
2026
2026
Proceedings of the 2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
2-s2.0-105041039301
W7160537470
04.01 - Contributo in atti di convegno
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